4H-SiC是碳化硅中最有前景的结构之一,具有高热导率、较高的击穿场强和较低的漏电流等优点。因此,研究人员对4H-SiC材料的低压同质外延生长和器件验证非常感兴趣。 低压同质外延生长是制备高质量4H-SiC晶体的关键技术之一。这种方法在减小杂质浓度和缺陷密度方面具有独特的优势。通过在石英室中使用碳源和硅源,可以在硅...
4h-sic低压同质外延生长和器件验证 系统标签: 外延sic生长器件低压zltd 摘要I 摘要 作为第三代半导体材料的之一,碳化硅(SiC)材料具有宽的禁带、高的击穿电 场、高电子漂移速度和高热导率等优势,是制备高压、高温、大功率、抗辐射的电力 电子功率器件的理想材料之一。经过近30年的发展,SiC电子器件已广泛应用于军 ...