4H SiC是一种常用的碳化硅材料,具有显著的各向异性。在不同的晶向上,其迁移率存在差异。例如,4H-SiC MOSFET(NO退火)沟道迁移率为35cm2/Vs,这只是体迁移率的3%,而Si MOSFET的沟道迁移率约500cm2/Vs,是前者的7%。此外,4H SiC本征载流子浓度和电子迁移率都比6H SiC高很多,这可以使得在相同电流密度的情况下,...
4H-SiC上镀4H-SiC薄膜P型(4H-SiC Epitaxial Film on 4H-SiC, P type) 常规尺寸 dia4" ±0.5 mm x 0.525 ±0.025 mm 技术参数 4H-SiC薄膜晶向: 4H-SiC薄膜厚度(film target thickness): 4.3um ±10% 4H-SiC薄膜厚度(film target doping layer) : 1.4E17/cc +0% /- 30% 载流子...
晶向 <001>±0.5º 抛光 单面或双面 晶面定向精度 ±0.5° 边缘定向精度 2°(特殊要求可达1°以内) 斜切晶片 可按特定需求,加工边缘取向的晶面按特定角度倾斜(倾斜角1°-45°)的晶片 粗糙度Ra ≤5Å(5µm×5µm) 包装 100级洁净袋,1000级超净室 可售卖地 全国 N型碳化硅衬底材料是支...
为改进SiC外延材料质量, SiC外延层中层错缺陷的特征和起因需要进一步研究。本文使用KLA- Tencor CS920和光学显微镜检测、氢氧化钾腐蚀结合外延层减薄的方法, 详细研究了同质外延生长的4H-SiC中SF的形貌特征和起因, 指导4H-SiC晶体质量的改进方向。 1 实验方法 首先制备一片4英寸偏<112¯0>方向4°的4H-SiC单晶衬...
采用高速旋转垂直热壁化学气相沉积(CVD)设备在偏向〈1010〉晶向 4°的 n 型 4H-SiC 衬底上进行了 同质外延生长,在设定的工艺条件下,外延膜生长速率达到 40.44 μm/h,厚度不均匀性和掺杂浓度不均匀性分别 达到 1.37%和 2.79%。AFM测试显示表面均方根粗糙度为 0.11nm;Leica显微镜观察表明外延膜表面光滑,生长缺 ...
4H-SiC上镀4H-SiC薄膜P型(4H-SiC?Epitaxial?Film?on?4H-SiC,?P?type) 常规尺寸: dia4“ ±0.5 mm x 0.525 ±0.025 mm 技术参数: 4H-SiC薄膜晶向:<0001> 4H-SiC薄膜厚度(film target thickness):4.3um ±10% 4H-SiC薄膜厚度(film target doping layer) :1.4E17/cc +0% /- 30% ...
4H-SiC晶体基片是碳化硅(SiC)的一种晶体类型,碳化硅有大约250种晶体类型,包括3C、4H和6H等,但4H-SiC尤其受到人们的关注。"4H"代表六角晶型,数字“4”表示C-Si双原子层沿C方向的堆垛周期数。 产品简述 产品视频 留言咨询 产品名称 4H-SiC晶体基片 技术参数 ...
4H-SiC上镀4H-SiC薄膜P型(4H-SiC?Epitaxial?Film?on?4H-SiC,?P?type) 常规尺寸: dia4“ ±0.5 mm x 0.525 ±0.025 mm 技术参数: 4H-SiC薄膜晶向:<0001> 4H-SiC薄膜厚度(film target thickness):4.3um ±10% 4H-SiC薄膜厚度(film target doping layer) :1.4E17/cc +0% /- 30% ...
高速旋转垂直热壁CVD外延生长n型4H-SiC膜的研究 摘要 采用高速旋转垂直热壁化学气相沉积(CVD)设备在偏向〈1010〉晶向 4°的 n 型 4H-SiC 衬底上进行了同质外延生长,在设定的工艺条件下,外延膜生长速率达到 40.44 μm/h,厚度不均匀性和掺杂浓度不均匀性分别 达到 1.37%和 2.79%。AFM测试显示表面均方根粗糙度...
4H-SiC单晶 Cas 号: 分子式: 订货信息: 货号品名规格包装单价货期库存 2206241127254H-SiC单晶(N)型99.999% 直径1英寸×0.5mm(电阻率0.1)单抛1件询价咨询客服3天 2206241126424H-SiC单晶99.999% 直径1英寸×0.5mm(晶向001) 单抛1件询价咨询客服3天