4H-SiC晶体属于闪锌矿结构,由Si和C原子交替排列而成。晶体结构可以理解为一种有序的、周期性重复的排列方式,其原子之间的相互作用形成了晶体的特殊性质。在4H-SiC晶体中,每个Si原子和相邻的4个C原子形成一个四面体结构,而每个C原子则与3个Si原子和1个C原子相邻,形成了一个六角形的环状结构。这种排列方式使得4H-Si...
1. 4H-SiC的晶体结构中，碳原子占据六方密堆积和立方面心两种晶格位置。2. “六方”指的是六方密堆积晶格，这是一种空间群为P63mc的晶体结构。3. “立方”指的是立方面心晶格，这是一种空间群为Fm-3m的晶体结构。4. 在这两种结构中，碳原子以不同的方式排列，形成不同的晶格点阵。5. 六方...
而15R-SiC则是更为复杂的ABACBCACBABCBAC型,重复排列为ABACBCACBABCBAC ABACBCACBABCBAC…… 通常,晶体会使用空间群符号进行表示。但为了更简便地区分同空间群的碳化硅,我们可以采用一种更简洁的符号系统:晶型符号由数字和字母组合而成。其中,数字代表沿着(001)方向的碳硅双原子层数,而字母则代表晶系的类型,如C代...
金刚石-sic, sic-inp,sic-LN, ic-ga2o3,glass--glass,Si-SiC,Si-GaAs、GaAs- SiC、Si–SiC、SiC–SiC、Ge–Ge 、Al 2 O 3 -Al 2 O 3 ,GaP-InP, GaN-Si、LiNbO 3 -Al 2 O 3 、LiTaO 3 -Si and more(晶体,陶瓷,等等)
图1分子动力学划擦模型及碳化硅的原子排列。 由于划擦实验和MD模拟的尺度局限性,直接比较结果既困难又不可靠。因此,采用力和划擦深度的比值来比较MD模拟和划痕实验的结果,如图2(a)和(b)所示。可以看出,对于从0.5到3 nm切深的仿真结果,4H-SiC的Si面的比值最大,接着依次是4H-SiC的C面、6H-SiC的Si面、6H-...
碳化硅(Silicon carbide),化学式为SiC,分子量40.1。化学式虽然简单,但是其应用广泛,这是由碳化硅的结构决定的。 结构={组元,组元间的关系} 碳化硅是一种组成简单的物质,组元就是碳原子和硅原子。碳化硅晶体,就是由碳原子和硅原子有序排列而成。碳、硅同属于第二周期元素,原子半径差距不大,堆积方式可以从等径球体...
碳化硅，SiC，分子量40.1，一种简单结构的物质，由碳原子与硅原子组成。其晶体结构决定了碳化硅广泛应用的特性。结构由组元及其相互关系构成。碳化硅晶体是由碳原子与硅原子有序排列而成。碳、硅同属第二周期元素，原子半径相近，堆积方式从最紧密堆积出发考虑。形成最紧密堆积层的方式称为A层，下层硅原子...
4h-sic同外延的表征及深能级分析研究.pdf,摘要 摘要 SiC器件和其它半导体器件一样,材料的质量对于SiC器件的制备和性能具有 非常重要的意义。高质量的SiC单晶是制备高性能SiC器件的基础,有利于SiC 器件研制和进一步推广应用。 目前,4H.SiC同质外延单晶薄膜的研究已经取得
这使得4H-SiC成为制造高功率电子器件如功率MOSFETs、二极管以及太阳能控制器等理想材料。 2.3 位错密度的定义和意义 位错密度是衡量晶体中存在位错数量的参数。在SiC材料中,位错可以分为线性位错和点状位错两种类型。线性位错由于晶格中原子排列的错位而形成,点状位错则是由缺陷引起的晶体结构中的局部辐射。位错密度的高低...
4h-sic外材料低位错密度关键技术研究.pdf,摘要 摘要 以碳化硅(SiC)材料为代表的第三代宽带隙半导体材料具有宽带隙、高临界 击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等特点,特别适合制作高温、高压、 大功率、耐辐照等半导体器件。其中4H.SiC材料以其优异的特性引起人们