[0010] (1)建立4H-SiC晶胞的三维原子结构模型;[0011] ⑵以步骤⑴所述模型为基准,建立4H-SiC的超晶胞模型;[0012] (3)以硅面为上表面,沿(0001)面向<| 1 2 0>偏8°做虚拟平面,平面落在从上表 面开始的第一层和第二层碳-碳原子层间的部分向第一层碳原子层做垂直投影,投影部分 的原子层构成第一层...
本发明提供一种4H-SiC材料8°偏角三维原子结构模型及其构建方法和应用。所述模型为4H-SiC六方晶胞的周期性重复结构,晶胞参数为:偏8°;所述模型以计算机辅助构建而成,方法步骤简单易行,其制作完全按照实际生产过程中对碳化硅表面的处理方法;本发明的4H-SiC材料8°偏角三维原子结构模型可应用于碳化硅氧化原理、碳化硅...
1.一种4H-SiC材料4°偏角三维原子结构模型,所述模型为4H-SiC六方晶胞的周期性重复结构,晶胞参数为:<Image>α=90°,β=90°,γ=120°,所述晶胞由中心为硅原子的四面体构成,碳硅键长为<Image>其特征在于,所述模型上表面沿(0001)面向<Image>偏4°。 2.一种权利要求1所述的4H-SiC材料4°偏角三维原子结构...
本发明提供一种4H‑SiC材料4°偏角三维原子结构模型及其构建方法和应用。所述模型为4H‑SiC六方晶胞的周期性重复结构,晶胞参数为: 法律状态 法律状态公告日 法律状态信息 法律状态 2016-01-20 公开 公开 2016-01-20 公开 公开 2016-09-28 实质审查的生效 实质审查的生效 2016-09-28 实质审查的生效 实质审查...
[0040] 所述的用4H-SiC材料8°偏角三维原子结构模型进行碳化硅表面缺陷的研究及 控制方法的第一优选技术方案,所述缺陷包括三角型缺陷、胡萝卜型缺陷、downfall或慧尾 型缺陷。[0041] 一种用所述的4H-SiC材料8°偏角三维原子结构模型进行碳化硅衬底缺陷对外 延影响的研究及控制方法,所述方法包括:[0042] (1)建立...
摘要 本发明提供一种4H‑SiC材料4°偏角三维原子结构模型及其构建方法和应用。所述模型为4H‑SiC六方晶胞的周期性重复结构,晶胞参数为α=90°,β=90°,γ=120°,所述晶胞由中心为硅原子的四面体构成,碳硅键长为所述模型上表面沿(0001)面向偏4°;所述模型以计算机辅助构建而成,方法步骤简单易行,其制...
一种4H-SiC材料8°偏角三维原子结构模型及其构建方法和应用专利信息由爱企查专利频道提供,一种4H-SiC材料8°偏角三维原子结构模型及其构建方法和应用说明:本发明提供一种4H‑SiC材料8°偏角三维原子结构模型及其构建方法和应用。所述模型为4H‑Si...专利查询请上爱