OKI将CFB工艺和重新布线工艺相结合的技术称为“薄膜小芯片技术”,并热衷于将其应用于集成各种半导体器件的异构集成。 堆叠模拟 IC 可以使用光刻技术重新布线 来源:OKI/Nisshinbo Micro Devices 此外,CFB还可以将多个薄膜模拟IC旋转90度堆叠在一起。如果通过一次旋转 90 度来堆叠各层,则焊盘不会重叠,因此您可以拉出...
克服现有的 2D-SIP (System In a Package二维系统级封装)和POP (package on package三维封装堆叠)系统的不足,满足微电子产品对于多功能和小型化的要求。 (2)提高电性能:由于TSV技术可以大幅度地缩短电互连的长度,从而可以很好地解决出现在 SOC(二维系统级芯片)技术中的信号延迟等问题,提高电性能。现电子元器件的...
3D堆叠芯片最早的商业成功是用于NAND存储器的堆叠。目前市场上的主流3D NAND产品为64～96层。2019年8月三星宣布第六代超过100层的3D NAND闪存实现量产；美光科技也已宣布128层的3D NAND在2020年量产。SK海力士则表示下一代3D NAND堆叠层数到2021年会超过140层。长江存储采用Xtacking架构的64层3D NAND也已经量产。但...
而3D-IC设计则解决了这些问题。它采用堆叠的方式，让芯片之间的连接更加紧密，提高了空间利用率。而且，由于使用了硅中介和TSV技术，散热效果更好，功耗更低，性能更稳定。这就好比给芯片穿上了一件“紧身衣”，让它变得更加苗条、更加高效。3D-IC设计的挑战与机遇 当然，3D-IC设计也不是一帆风顺的。它面临着许多...
大多数3D堆叠是在其中一块芯片仍在晶圆上时将一块芯片键合到另一块芯片上完成的，称为“晶圆上芯片”（chip-on-wafer）。相反，Bow采用了台积电的堆叠晶圆（wafer-on-wafer）技术，将一种类型的整片晶圆与另一种类型的整片晶圆键合起来，然后切割成芯片。Graphcore首席技术官兼联合创始人西蒙•诺尔斯（Simon ...
【候选产品】3Sheng堆叠芯片EDA平台 珠海硅芯科技有限公司(以下简称“硅芯科技”)成立于2022年,主要从事新一代2.5D/3D堆叠芯片EDA软件设计的研发及产业化。硅芯科技自主研发的3Sheng Integration Platform堆叠芯片EDA平台及系列核心产品,解决国产芯片“卡脖子”难题,为实现国产自主可控的堆叠芯片设计领域奠定了坚实基础,...
珠海硅芯科技有限公司(以下简称“硅芯科技”)成立于2022年,主要从事新一代2.5D/3D堆叠芯片EDA软件设计的研发及产业化。硅芯科技自主研发的3Sheng Integration Platform堆叠芯片EDA平台及系列核心产品,解决国产芯片“卡脖子”难题,为实现国产自主可控的堆叠芯片设计领域奠定了坚实基础,助力国内芯片设计行业产品升级迭代。
3D 逻辑芯片，还包括 3D 内存及其组合，使用基于生长的单片 3D 方法可以增加数十到数百个逻辑和存储层，彼此重叠，并且它们将能够很好地通信。传统的 3D 芯片是通过在晶圆上钻孔来制造硅晶圆的——这个过程限制了堆叠层的数量、垂直对齐分辨率和产量，然而这种基于增长的方法可以同时解决所有这些问题。
硅通孔(TSV)是垂直向下穿过芯片硅的互连。它们不会贯穿整个晶圆,因此必须将硅片的背面磨平,直至硅通孔暴露出来。这在3D堆叠芯片中通常是必要的,因为要将芯片键合在一起使其互连面对面。在这种情况下,硅通孔可为堆栈供电并提供数据。多年来,它们在垂直堆叠多块内存芯片的高带宽动态RAM中得到了广泛应用。但随着3D芯...
紫光国芯取得一种 3D 堆叠芯片专利，实现了 3D 堆叠集成逻辑芯片硬核 IP 器件模块的供电接入和信号接入 金融界 2024 年 7 月 31 日消息，天眼查知识产权信息显示，西安紫光国芯半导体股份有限公司取得一项名为“一种 3D 堆叠芯片“，授权公告号 CN221447170U，申请日期为 2023 年 12 月。专利摘要显示，本实用...