OKI将CFB工艺和重新布线工艺相结合的技术称为“薄膜小芯片技术”,并热衷于将其应用于集成各种半导体器件的异构集成。 堆叠模拟 IC 可以使用光刻技术重新布线 来源:OKI/Nisshinbo Micro Devices 此外,CFB还可以将多个薄膜模拟IC旋转90度堆叠在一起。如果通过一次旋转 90 度来堆叠各层,则焊盘不会重叠,因此您可以拉出...
克服现有的 2D-SIP (System In a Package二维系统级封装)和POP (package on package三维封装堆叠)系统的不足,满足微电子产品对于多功能和小型化的要求。 (2)提高电性能:由于TSV技术可以大幅度地缩短电互连的长度,从而可以很好地解决出现在 SOC(二维系统级芯片)技术中的信号延迟等问题,提高电性能。现电子元器件的...
3D堆叠芯片最早的商业成功是用于NAND存储器的堆叠。目前市场上的主流3D NAND产品为64～96层。2019年8月三星宣布第六代超过100层的3D NAND闪存实现量产；美光科技也已宣布128层的3D NAND在2020年量产。SK海力士则表示下一代3D NAND堆叠层数到2021年会超过140层。长江存储采用Xtacking架构的64层3D NAND也已经量产。但...
然而，它对对齐和平面化的要求并不像混合键合那样严格，因此更容易将采用不同制造技术制造的多块芯片堆叠到单个基极芯片上。硅通孔（TSV）是垂直向下穿过芯片硅的互连。它们不会贯穿整个晶圆，因此必须将硅片的背面磨平，直至硅通孔暴露出来。这在3D堆叠芯片中通常是必要的，因为要将芯片键合在一起使其互连面对面。...
珠海硅芯科技有限公司(以下简称“硅芯科技”)成立于2022年,主要从事新一代2.5D/3D堆叠芯片EDA软件设计的研发及产业化。硅芯科技自主研发的3Sheng Integration Platform堆叠芯片EDA平台及系列核心产品,解决国产芯片“卡脖子”难题,为实现国产自主可控的堆叠芯片设计领域奠定了坚实基础,助力国内芯片设计行业产品升级迭代。
1、英特尔新型 3D 堆叠、多芯片封装技术：Foveros Direct 这项技术应用于多种芯片混合封装的场景，可以将不同功能、不同制程的芯片以相邻或者层叠的方式结合在一起。Foveros Direct 技术使得上下芯片之间的连接点密度提升了 10 倍，每个连接点的间距小于 10 微米。这项技术支持将 CPU、GPU、IO 芯片紧密结合在一起，...
3D-IC技术：芯片堆叠的艺术 那么，3D-IC技术到底是个啥呢？简单来说，它就像搭积木一样，把多个半导体芯片（我们称之为“芯粒”）堆叠在一起，或者让它们彼此靠近。而这些芯粒之间，通过一种叫做“硅中介”的东西，用硅通孔（TSV）进行连接，就像给芯片装上了“隐形通道”，让信息在芯片之间畅通无阻。这种设计...
3D 逻辑芯片，还包括 3D 内存及其组合，使用基于生长的单片 3D 方法可以增加数十到数百个逻辑和存储层，彼此重叠，并且它们将能够很好地通信。传统的 3D 芯片是通过在晶圆上钻孔来制造硅晶圆的——这个过程限制了堆叠层的数量、垂直对齐分辨率和产量，然而这种基于增长的方法可以同时解决所有这些问题。
但特别提出的是，即使3D堆叠芯片是一种“老掉牙”的技术，也并不是物理层面的简单叠加，而是修改了设计逻辑和封装工艺，将双层芯片的技术做到低端制程、高端性能。同时，值得关注的是，今年3月，英国AI芯片公司Graphcore发布了一款IPU产品Bow，采用的是台积电两年前的7nm工艺，但是芯片性能却得以提升40%，甚至优于5nm...
为此,华为前任总裁郭平表示,创新的芯片封装和小芯片互连技术,尤其是 3D 堆叠,是公司在其 SoC 中投入更多晶体管并获得竞争力所需性能的一种方式。因此,该公司投资于专有的封装和互连方法(例如其获得专利的方法)是非常有意义的。 “以 3D 混合键合技术为代表的微纳米技术将成为扩展摩尔定律的主要手段,”郭说。