克服现有的 2D-SIP (System In a Package二维系统级封装)和POP (package on package三维封装堆叠)系统的不足,满足微电子产品对于多功能和小型化的要求。 (2)提高电性能:由于TSV技术可以大幅度地缩短电互连的长度,从而可以很好地解决出现在 SOC(二维系统级芯片)技术中的信号延迟等问题,提高电性能。现电子元器件的...
在2.5D场景中,通过中介层上的重分布层(RDL)进行芯片之间的连接,芯片之间的距离通常在100um左右。随着3D场景中芯片堆叠技术的进步,使用uBUMP进行芯片的垂直堆叠允许芯片之间直接连接,将距离减少到不到40um。这显著减少了基板的尺寸。此外,在3D集成中,传输的IO信号不再需要放置在芯片的边缘。此外,通过在集成芯片系统中...
其中,TSV是其关键技术,TSV通过在芯片与芯片之间、晶圆与晶圆之间制作垂直导通,实现芯片之间互连,能够使三维方向堆叠的密度最大、外形尺寸最小,并且大大改善芯片速度和降低功耗。 二、3D芯片堆叠技术对传统芯片结构带来的挑战 1)芯片良率下降 其相对滞后的对准技术降低了芯片良率,因此在三维芯片中引入过多的过硅通孔将...
与传统的二维芯片把所有的模块放在平面层相比,三维芯片允许多层堆叠,而过TSV用来提供多个晶片垂直方向的通信。其中,TSV是3D芯片堆叠技术的关键。 3D芯片堆叠结构示意图 3D堆叠技术是把不同功能的芯片或结构,通过堆叠技术或过孔互连等微机械加工技术,使其在Z轴方向上形成立体集成、信号连通及圆片级、芯片级、硅帽封装等...
据悉,苹果公司计划在2025年推出采用3D芯片堆叠技术SoIC的MacBook系列。 SoIC(System on Integrated Chips)是一种突破性的集成电路封装技术,通过将多个芯片垂直堆叠,实现了在更小体积内达到更高集成度的目标。 具体来说,SoIC技术可以将多个芯片堆叠在一起,以更小的尺寸实现更高的集成度和性能. 这种新型IC封装技术不仅...
【新智元导读】华为独立研发的3D芯片堆叠技术,它基于旧节点,却能增加新性能,华为新的芯片封装和连接技术将有何价值? 据报道,华为开发了一种芯片堆叠工艺,并申请了专利,这将比现有的芯片堆叠工艺成本低得多。 不过,华为的这项技术是基于旧节点,但提高了芯片性能。
1、英特尔新型 3D 堆叠、多芯片封装技术：Foveros Direct 这项技术应用于多种芯片混合封装的场景，可以将不同功能、不同制程的芯片以相邻或者层叠的方式结合在一起。Foveros Direct 技术使得上下芯片之间的连接点密度提升了 10 倍，每个连接点的间距小于 10 微米。这项技术支持将 CPU、GPU、IO 芯片紧密结合在一起，...
国际大厂们之间的“3D堆叠大战” 在去年4月的美国加州圣塔克拉拉(Santa Clara)第二十四届年度技术研讨会上,台积电首度对外界公布创新的系统整合单芯片(SoIC)多芯片3D堆叠技术。这在当时被誉为可再次把三星狠狠甩在后头、实现3D IC的高阶封装技术。 SoIC技术是采用硅穿孔(TSV)技术,可以达到无凸起的键合结构,可以把很...
答案是肯定的，华为的这个方法的确具有可行性。为什么会说他能攻克芯片问题？因为，3D封装技术兴起并多次验证，该技术可以通过堆叠多个芯片来提高半导体的性能。并且，华为自身的表态和行动，也可以看出他离攻克芯片难关不远了。一、佳能正开发3D 技术的光刻机 4月1日，据媒体报道称，佳能正在开发用于半导体 3D 技术的...
据悉,Bow采用就是台积电研发的芯片堆叠技术——3D WoW硅晶圆堆叠技术,以类似于3D NAND闪存多层堆叠一样,将两层Die以镜像方式垂直堆叠起来,以更先进的封装技术提升芯片性能。 这也无疑证明了华为研发的3D堆叠芯片技术的可行性。要知道,华为与台积电的合作从16nm工艺一直延续至5nm工艺,或许当年台积电研发3D WoW硅晶圆堆...