半导体芯片3D堆叠技术与TSV工艺 1 3D堆叠技术 芯片3D堆叠技术涉及如图1描述的几个关键工艺:晶圆减薄,TSV通孔,Wafer handling,Wafer bonding和Wafer test。 图1 3D堆叠技术关键工艺 图2 为几种叠层封装形式对比 图2 a)叠层绑线封装 b)TSV封装 c)POP package on package 叠层d) PiP
2月27日，武汉芯力科技术有限公司（以下简称“芯力科”）与东湖高新区签约，将在光谷建设异质异构集成高精度键合成套装备研发与应用项目。当前，随着摩尔定律接近极限，三维异质异构集成技术成为弯道超车路径。相比传统的芯片平铺封装，三维异质异构集成技术用高密度键合实现芯片的3D堆叠封装，将不同材料、功能的芯片像搭积...
3D-IC技术通过垂直堆叠多个芯片并利用硅通孔(TSV)或混合键合等技术实现紧密互连,显著提升了芯片的集成度、性能和能效。这种技术已在数据中心和神经处理领域取得初步成功。 高带宽存储器(HBM)作为3D-IC的典型应用,通过将DRAM堆叠在逻辑芯片上,大幅提高了数据传输速率和能效,满足了AI训练和大数据分析对高吞吐量的需求。
在2.5D场景中,通过中介层上的重分布层(RDL)进行芯片之间的连接,芯片之间的距离通常在100um左右。随着3D场景中芯片堆叠技术的进步,使用uBUMP进行芯片的垂直堆叠允许芯片之间直接连接,将距离减少到不到40um。这显著减少了基板的尺寸。此外,在3D集成中,传输的IO信号不再需要放置在芯片的边缘。此外,通过在集成芯片系统中...
一、3D堆叠技术简介 3D堆叠技术是一种将多个芯片在垂直方向堆叠并通过互连技术(如硅通孔TSV、微凸点)集成的高端封装技术。其核心优势在于: 高集成度:在有限空间内堆叠多层芯片,提升性能和功能密度。 低功耗与高速:缩短互连距离,降低信号延迟和功耗。 异质集成:整合不同工艺节点的芯片(如逻辑芯片与存储器),优化系统...
1. 3D堆叠封装技术概述 3D堆叠封装技术是指将多个集成电路(IC)芯片垂直堆叠在一起,通过垂直互连技术(如微凸点焊接、硅通孔等)进行连接的一种先进封装方式。这种技术能够有效缩短芯片内部的互连长度,从而提高信号传输速度并降低功耗。 在热管理方面,3D堆叠封装技术的优势尤为显著。由于芯片层之间的相对距离较小,热量能...
一项新的技术出现必然涉及到多方利益集团的利益,因此,一个规范和权衡利弊的业内标准继续制定,SEMI联盟组织已经在这方面有所行动,他们成立了一个三维堆叠集成电路标准委员会,但达到完善的标准仍然很困难。 三、3D芯片堆叠技术现状及未来 如今,3D芯片堆叠技术在一些设备中已经有总领性的运用。迪克森-沃伦称,从第一代开...
Nvidia的3D GPU芯片堆叠技术在一定程度上考虑了散热和良率问题，并提出了相应的解决方案，但能否完全成功解决这些问题还需实际应用的验证。散热问题： Nvidia在专利中特别关注了如何在密集的连接中保证高效传输，同时减少电感和电容效应，这有助于降低因电阻和电容产生的热量。 然而，3D芯片堆叠的散热挑战依然...
在TGV工艺领域，美迪凯通过激光诱导和湿法腐蚀工艺对玻璃基材实现微小孔径（Min 10μm）的通孔、盲孔处理。相关工艺在无源器件、集成天线和MEMS封装、多层玻璃基板堆叠上，都有成熟应用，而这些工艺也正是目前AI芯片2.5D/3D Chiplet封装采用玻璃基板TGV工艺量产的基础技术。目前美迪凯重点投资布局 半导体光学、半导体微纳...
据悉，#深度好文计划#苹果公司计划在2025年推出采用3D芯片堆叠技术SoIC的MacBook系列。SoIC（System on Integrated Chips）是一种突破性的集成电路封装技术，通过将多个芯片垂直堆叠，实现了在更小体积内达到更高集成度的目标。具体来说，SoIC技术可以将多个芯片堆叠在一起，以更小的尺寸实现更高的集成度和性能. 这种...