3c-sic晶体结构3C-SiC(cubic silicon carbide)是一种碳化硅的晶体结构,也被称为β-SiC。它具有立方晶体结构,属于空间群F43m。每个晶胞包含两个原子:一个硅原子和一个碳原子。 在3C-SiC中,硅和碳原子以四面体结构排列,其中每个碳原子与周围四个硅原子形成共价键,形成了六元环的结构。这种结构类似于钻石结构,并且...
①、β-SiC属立方晶系,其晶体的等轴结构特点决定了该粉体具有比α-SiC好的自然球度和自锐性,因而在精密研磨方面有更好的磨削和抛光效果,在材料、密封制品和军工制品生产时有更优异的密封特性,使其制品有更好的密度。 ②、β-SiC制造时温度远低于α-SiC,因而其颗粒更容易细化和均化,而且可生产大量纳米~亚微米...
在众多SiCD多型中,3C-SiC为唯一的立方晶系多型,又称为β-SiC,这种晶体结构中,Si和C原子以一对一的比例存在于晶格中,每个原子被四个异种原子围绕,形成了强共价键的四面体结构单元。3C-SiC的结构特点在于Si-C双原子层按照ABC-ABC-…的顺序重复排列,每个晶胞含有三个这样的双原子层,这被称为C3表示法;3C-SiC的...
3C-SiC是指β型的碳化硅(Silicon Carbide)晶体,也称为立方晶型碳化硅(cubic silicon carbide)。它具有类似于钻石的结构,但是晶体结构是立方晶系的。 1200℃退火后的薄膜形成了3C-SiC晶体。3C-SiC在半导体行业中备受关注,因为它具有多种性能,包括高热导率、高击穿电场强度、优良的热稳定性和化学稳定性。这些性能使得3...
SiC 作为下一代功率半导体的材料备受关注,其实际应用正在取得进展。多为六方棱柱晶的“4H-SiC”和“6H-SiC”。与这些相比,“3C-SiC”具有更简单的晶体结构,并有望具有更高的热导率。而国外制造的3C-SiC的导热系数为90W/m·K,低于6H-SiC的实测值(320W/m·K)。
目前,SiC材料已知的晶体结构有250多种,主要类型有六方体(2H-SiC、4H-SiC、6H-SiC)和立方体3C-SiC等。 实际上,如果从材料特性来看,相比4H-SiC晶型材料,3C-SiC在禁带宽度、击穿场强等各方面都处于劣势,这也是为什么主流的商用器件都是在4H-SiC上制造的原因之一。但是,3C-SiC被认为是“明日之星”,前景备受看好,...
1. 晶体结构差异：3C-SiC拥有立方晶格结构，4H-SiC呈现出四方晶格特征，而6H-SiC则具有六方晶格结构。2. 应用领域区分：3C-SiC适合用作磨料、半导体材料以及高温半导体材料。4H-SiC适用于高温环境、高频应用和大功率电子器件制造。6H-SiC则在高功率、高温以及高频电子器件领域表现出优势。
碳化硅,也被称作Silicon carbide,其化学表达式为SiC,拥有40.1的分子量。尽管它的化学式看起来简单,但其应用范围却异常广泛,这主要得益于碳化硅独特的结构。 从结构上来看,它包含组元以及组元间的相互关系。碳化硅的构成元素相对单一,主要由碳原子和硅原子组成。其晶体则是由这两种原子以有序的方式排列而成。值得一提的...
3C SiC是一种具有菱面晶体结构的碳化硅材料。它的堆叠序列是ABCABC...,其中A、B、C分别代表不同的原子层。具体而言,A层是由碳原子组成,B层则是由硅原子组成,C层同样由碳原子组成。这种堆叠序列使得3C SiC具有一些独特的性质和应用。 1. 光电子应用 由于3C SiC具有宽禁带宽度和高电子迁移率的特点,它在光电子...