3c-sic晶体结构3C-SiC(cubic silicon carbide)是一种碳化硅的晶体结构,也被称为β-SiC。它具有立方晶体结构,属于空间群F43m。每个晶胞包含两个原子:一个硅原子和一个碳原子。 在3C-SiC中,硅和碳原子以四面体结构排列,其中每个碳原子与周围四个硅原子形成共价键,形成了六元环的结构。这种结构类似于钻石结构,并且...
3C-SiC是指β型的碳化硅(Silicon Carbide)晶体,也称为立方晶型碳化硅(cubic silicon carbide)。它具有类似于钻石的结构,但是晶体结构是立方晶系的。 1200℃退火后的薄膜形成了3C-SiC晶体。3C-SiC在半导体行业中备受关注,因为它具有多种性能,包括高热导率、高击穿电场强度、优良的热稳定性和化学稳定性。这些性能使得3...
在众多SiCD多型中,3C-SiC为唯一的立方晶系多型,又称为β-SiC,这种晶体结构中,Si和C原子以一对一的比例存在于晶格中,每个原子被四个异种原子围绕,形成了强共价键的四面体结构单元。3C-SiC的结构特点在于Si-C双原子层按照ABC-ABC-…的顺序重复排列,每个晶胞含有三个这样的双原子层,这被称为C3表示法;3C-SiC的...
①、β-SiC属立方晶系,其晶体的等轴结构特点决定了该粉体具有比α-SiC好的自然球度和自锐性,因而在精密研磨方面有更好的磨削和抛光效果,在材料、密封制品和军工制品生产时有更优异的密封特性,使其制品有更好的密度。 ②、β-SiC制造时温度远低于α-SiC,因而其颗粒更容易细化和均化,而且可生产大量纳米~亚微米...
目前,SiC材料已知的晶体结构有250多种,主要类型有六方体(2H-SiC、4H-SiC、6H-SiC)和立方体3C-SiC等。 实际上,如果从材料特性来看,相比4H-SiC晶型材料,3C-SiC在禁带宽度、击穿场强等各方面都处于劣势,这也是为什么主流的商用器件都是在4H-SiC上制造的原因之一。但是,3C-SiC被认为是“明日之星”,前景备受看好,...
SiC 作为下一代功率半导体的材料备受关注,其实际应用正在取得进展。多为六方棱柱晶的“4H-SiC”和“6H-SiC”。与这些相比,“3C-SiC”具有更简单的晶体结构,并有望具有更高的热导率。而国外制造的3C-SiC的导热系数为90W/m·K,低于6H-SiC的实测值(320W/m·K)。
立方碳化硅(Cubic Silicon Carbide,3C-SiC)是一种晶体结构为立方晶的碳化硅。宏武碳化硅粒径规格多,40-50nm,100-300nm,300-500nm,1-3um,5um,7um,10um,20um,40um,99%纯度。颜色和性质会因粒度不同而不同。它具有许多出色的物理和化学性质,使其在各种应用中具有广泛的用途。
碳化硅晶体和金刚石一样,是原子晶体,空间网状结构,见下图。 一个C与四个Si一形成正四面体结构,一个晶胞内有4个碳原子和4个Si原子。 SiC作为C和Si唯一稳定的化合物,其晶格结构由致密排列的两个亚晶格组成
虽然高分辨电子显微术是研究缺陷结构 的有效 子 的最近距离为 0.109nm。图 2是 3C.SiC晶体 的 一幅[110]高分辨像 ,左下的衍射图是像 的傅里叶变 途径,可是3C.SiC晶体 中 si与 C原子的最近距离 换。尽管此像摄于 Seherzer聚焦条件附近 ,但未能 很小,只能用超高压高分辨电子显微镜 (以下简称电 ...