3c-sic晶体结构3C-SiC(cubic silicon carbide)是一种碳化硅的晶体结构,也被称为β-SiC。它具有立方晶体结构,属于空间群F43m。每个晶胞包含两个原子:一个硅原子和一个碳原子。 在3C-SiC中,硅和碳原子以四面体结构排列,其中每个碳原子与周围四个硅原子形成共价键,形成了六元环的结构。这种结构类似于钻石结构,并且...
金融界 2024 年 12 月 12 日消息，国家知识产权局信息显示，山东天岳先进科技股份有限公司申请一项名为“一种确定 3C-SiC 晶体晶向的方法及一种确定 3C-SiC Wafer 或 3C-SiC 薄膜打标方向的方法”的专利，公开号 CN 119104579 A，申请日期为 2024 年 8 月。专利摘要显示，本申请公开了一种确定 3C‑SiC 晶...
因此,要想实现3C-SiC单晶的稳定生长,需开发新型助溶剂,在温度低于2173K时提高硅基溶液中的C溶解度,以提高溶液法生长3C-SiC单晶的生长速度。 近日,昆明理工大学雷云、马文会等与北京青禾晶元半导体科技有限责任公司母凤文等合作,在晶体学著名期刊Crystal Growth & Design上发表2篇题为“Rapid growth of high-purity ...
3C-SiC是指β型的碳化硅(Silicon Carbide)晶体,也称为立方晶型碳化硅(cubic silicon carbide)。它具有类似于钻石的结构,但是晶体结构是立方晶系的。 1200℃退火后的薄膜形成了3C-SiC晶体。3C-SiC在半导体行业中备受关注,因为它具有多种性能,包括高热导率、高击穿电场强度、优良的热稳定性和化学稳定性。这些性能使得3...
半导体材料“3C-SiC”的晶体纯度和质量进展 2022年12月,来自大阪公立大学、伊利诺伊大学、Air Water、东北大学和佐治亚理工学院的研究小组宣布了半导体材料“3C-SiC”(立方碳化硅)的晶体纯度和质量进展。 SiC 作为下一代功率半导体的材料备受关注,其实际应用正在取得进展。多为六方棱柱晶的“4H-SiC”和“6H-SiC”。
1. 碳化硅（SiC）晶体与金刚石一样，属于原子晶体，并具有空间网状结构。2. 在碳化硅的晶格中，一个碳原子与四个硅原子形成正四面体结构。3. 每个晶胞内含有四个碳原子和四个硅原子。4. 作为碳和硅之间唯一稳定存在的化合物，SiC的晶格结构由两个紧密排列的亚晶格组成。
溶液法生长SiC单晶具有晶体结晶质量高、易实现晶体扩径、易实现低温生长、易实现稳定的P型掺杂等独特的优势,有望在将来成为大规模量产SiC单晶的主要方法。然而,由于Si-C二元溶液中C在硅熔体中的溶解度极低,导致采用Si-C二元溶液无法实现SiC单晶的快速生长。因此,如何提高Si-C溶液中的C的溶解度是实现SiC单晶快速生长...
碳化硅晶体和金刚石一样，是原子晶体，空间网状结构，见下图。一个C与四个Si一形成正四面体结构,一个晶胞内有4个碳原子和4个Si原子。SiC作为C和Si唯一稳定的化合物，其晶格结构由致密排列的两个亚晶格组成
研究小组开展了在N2气氛下采用物理气相传输法生长3C-SiC晶体的研究。实验结果发现,采用4H (000-1)面籽晶能生长出3C-SiC,但是在4H(000-1)面上3C-SiC多为二维岛状生长,目前还不能生长较大尺寸的3C-SiC。4H-SiC(03-38)面虽然与3C-SiC(001)面晶格匹配,但是很高的台阶密度使得生长模式为台阶...
昆明理工大学在溶液法生长高纯3C-SiC晶体研究方面取得进展 基于SiC单晶制备的功率器件具有耐高温、低损耗、耐高压等优良性能,能够满足电力电子系统的轻量化、高效率和小型化的需求,在新能源汽车、轨道交通、5G基站、智能电网等领域正在掀起一场替代传统硅基功率器件的革命。溶液法生长SiC单晶具有晶体结晶质量高、易实现...