3c-sic晶体结构3C-SiC(cubic silicon carbide)是一种碳化硅的晶体结构,也被称为β-SiC。它具有立方晶体结构,属于空间群F43m。每个晶胞包含两个原子:一个硅原子和一个碳原子。 在3C-SiC中,硅和碳原子以四面体结构排列,其中每个碳原子与周围四个硅原子形成共价键,形成了六元环的结构。这种结构类似于钻石结构,并且...
碳化硅(SiC)作为新一代功率器件的半导体材料备受关注。为防止因温度升高而导致器件故障和性能下降,需要开发具有高热导率的材料。该公司开发了在Si(硅)衬底上形成高质量SiC晶体β-SiC的独创技术,自2012年起使用该技术制造并销售用于GaN(氮化镓)生长的衬底。 研究小组研究了β-SiC晶体的热导率,并在原子水平上对其进行...
金融界 2024 年 12 月 12 日消息，国家知识产权局信息显示，山东天岳先进科技股份有限公司申请一项名为“一种确定 3C-SiC 晶体晶向的方法及一种确定 3C-SiC Wafer 或 3C-SiC 薄膜打标方向的方法”的专利，公开号 CN 119104579 A，申请日期为 2024 年 8 月。专利摘要显示，本申请公开了一种确定 3C‑SiC 晶...
文献提到,该团队是通过在4H-SiC衬底上生长3C-SiC单晶,技术成果超出了以往理论预期,通过这项技术,他们能够持续稳定地生长高质量和大尺寸的3C-SiC晶体——直径为2~4英寸,厚度为4.0~10毫米。 该团队认为,该技术拓宽了异质晶体生长的机制,并为3C-SiC晶体的大规模生产提供了可行的途径,未来3C-SiC功率器件性能有望比目...
溶液法生长SiC单晶具有晶体结晶质量高、易实现晶体扩径、易实现低温生长、易实现稳定的P型掺杂等独特的优势,有望在将来成为大规模量产SiC单晶的主要方法。然而,由于Si-C二元溶液中C在硅熔体中的溶解度极低,导致采用Si-C二元溶液无法实现SiC单晶的快速生长。因此,如何提高Si-C溶液中的C的溶解度是实现SiC单晶快速生长...
3C-SiC是指β型的碳化硅(Silicon Carbide)晶体,也称为立方晶型碳化硅(cubic silicon carbide)。它具有类似于钻石的结构,但是晶体结构是立方晶系的。 1200℃退火后的薄膜形成了3C-SiC晶体。3C-SiC在半导体行业中备受关注,因为它具有多种性能,包括高热导率、高击穿电场强度、优良的热稳定性和化学稳定性。这些性能使得...
半导体材料“3C-SiC”的晶体纯度和质量进展 2022年12月,来自大阪公立大学、伊利诺伊大学、Air Water、东北大学和佐治亚理工学院的研究小组宣布了半导体材料“3C-SiC”(立方碳化硅)的晶体纯度和质量进展。 SiC 作为下一代功率半导体的材料备受关注,其实际应用正在取得进展。多为六方棱柱晶的“4H-SiC”和“6H-SiC”。
详情是将6H-SiC或4H-SiC衬底放置在坩埚顶部,以高纯的SiC微粉作为SiC原料,放置在石墨坩埚底部,坩埚通过射频感应加热至1900-2100℃,控制衬底温度低于SiC源,在坩埚内部形成轴向温度梯度,这样使得升华的SiC物质可以在衬底上凝结并结晶,形成3C-SiC异质外延。 升华外延的优势主要有两个方面:1. 外延温度高,可以减少晶体缺陷...
1. 3C碳化硅是一种宽带隙半导体材料，其晶体结构类似于钻石，具有高电子迁移率、击穿电场强度和热导率。2. 在电子应用领域，3C碳化硅（3C-SiC）因其优异的物理特性而被广泛使用。3. 尽管3C碳化硅在电力电子领域面临热管理挑战，但AirWaterInc.生产的晶圆级3C-SiC块状晶体，通过采用低温化学气相沉积法生长...
立方碳化硅(Cubic Silicon Carbide,3C-SiC)是一种晶体结构为立方晶的碳化硅。宏武碳化硅粒径规格多,40-50nm,100-300nm,300-500nm,1-3um,5um,7um,10um,20um,40um,99%纯度。颜色和性质会因粒度不同而不同。它具有许多出色的物理和化学性质,使其在各种应用中具有广泛的用途。