“在这项工作中测得的3C-SiC块状晶体的热导率比结构更复杂的6H-SiC高约50%,这与结构复杂性和热导率呈负相关的预测一致。此外,3C-SiC在硅衬底上生长的薄膜具有创纪录的面内和跨面热导率,甚至高于同等厚度的金刚石薄膜。” 本次研究工作中测得的高导热率使3C-SiC在英寸级晶体中仅次于单晶金刚石,在所有天然材...
其中,数字表示一个晶胞沿着(001)方向的碳硅双原子层数,C表示立方晶系(Cubic),H表示六方晶系(Hexagonal),R表示三方晶系(Rhombohedral)。F-43m的碳化硅晶体就被写成3C-SiC;P63mc、Z=4的碳化硅晶体就被写成4H-SiC;P63mc、Z=6的碳化硅晶体就被写成6H-SiC。 形象的周期体现在(110)(11-20)面上,分别对应晶面的两...
根据本发明的第一方面,提供了在单晶硅上生长外延3c-sic的方法。该方法包括在冷壁化学气相沉积反应器中提供单晶基板(例如单晶硅晶片或绝缘体上硅片)。该方法包括将基板加热到大于或等于700℃且小于或等于1200℃的温度,并在基板在该温度下时将气体混合物引入反应器中,以在单晶硅上沉积3c-sic的外延层。气体混合物包括硅...
近日,上海天岳半导体材料有限公司申请了一项名为“一种表征3C-SiC外延层结晶质量的方法及表征3C-SiC衬底结晶质量的方法”的专利。这一技术的推出,标志着在半导体材料领域重要进展的到来,尤其是在3C-SiC(碳化硅)材料的质量检测和应用优化方面。根据知识产权局的信息,该专利申请于2024年8月完成,公开编号为CN118980700A,...
1、本发明的目的在于提供一种用于生长3c-sic单晶的方法,该方法能够生长高质量、大尺寸(如2-6英寸)的3c-sic单晶,并且可以生长半绝缘的3c-sic单晶、n型导电型的3c-sic单晶或p型导电型的3c-sic单晶。 2、本发明的上述目的是通过如下技术方案实现的。
请问这种SiC您那边有吗？ CVD 多晶3C-SiC 纯度>99.9995% 常温电导率>1000Ω/cm 晶粒大小约5μm...
高纯SiC粉料合成方法 目前,用于生长单晶的高纯SiC粉料的合成方法主要有:CVD法和改进的自蔓延合成法(又称为高温合成法或燃烧法)。其中CVD法合成SiC粉体的Si源一般包括硅烷和四氯化硅等,C源一般选用四氯化碳、甲烷、乙烯、乙炔和丙烷等,而二...
SiC单晶、SiC晶片以及半导体器件[发明专利] 优质文献 相似文献SiC单晶,SiC晶片以及半导体器件 本发明涉及一种SiC单晶,其包含具有{0001}面内方向(主要与<1120>方向平行的方向)的柏氏矢量的位错的密度为3700cm/cm2以下的低位错密度区域(A).这样的SiC单... ...
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本发明属于晶片加工的技术领域,具体为双频超声裂纹扩展及剥离单晶SiC装置,包括箱体,箱体内升降电机通过同步带与旋转支撑轴连接,旋转支撑轴上连接有连接板,箱体的顶板上密封固定有水槽,水槽内设置有超声振动台,超声振动台支撑在支撑板上,连接板与支撑板通过支撑轴相连;箱体内还设置有旋转电机、减速器,减速器的输出轴的...