Si单晶衬底3C-SiC单晶薄膜修正的两步碳化工艺为了改善3C-SiC单晶薄膜结晶质量,3C-SiC单晶薄膜微观结构与碳化工艺是3C-SiC/Si异质外延研究的关键.研究了碳化工艺、3C-SiC薄膜外延生长温度、x(C)/x(Si)气相摩尔比等对于Si基3C-SiC薄膜表面质量和结晶质量的影响,获得(100)单晶Si衬底生长高质量3C-SiC薄膜工艺.通过光学...