4、3c-sic不稳定,当温度高于1900℃,3c-sic会转变为六方sic,此相变温度低于物理气相传输(pvt)法生长sic的最优温度(2000-2300℃)。因此,采用目前最成熟的pvt法生长大尺寸、高质量的3c-sic单晶衬底难度很大,导致目前市场上几乎没有高质量、大尺寸的3c-sic单晶衬底出售。采用化学气相沉积(cvd)通常在si单晶衬底上外延...