以下是β-SiC除了应用在半导体领域之外的情况: 1、烧结微粉 β-SiC在1800℃即可结晶,以往的产品需要2300℃、2400℃、2500℃,加添加剂后也需到2100℃才可结晶。作为半导性材料,β-SiC比α-SiC高几十倍,添加β-SiC后,发电机材料会很好,而且耐温好。纯度高的 β-SiC制成单晶,可集成电路板,比单晶Si,多晶Si好...
文献提到,该团队是通过在4H-SiC衬底上生长3C-SiC单晶,技术成果超出了以往理论预期,通过这项技术,他们能够持续稳定地生长高质量和大尺寸的3C-SiC晶体——直径为2~4英寸,厚度为4.0~10毫米。 该团队认为,该技术拓宽了异质晶体生长的机制,并为3C-SiC晶体的大规模生产提供了可行的途径,未来3C-SiC功率器件性能有望比目...
因此,要想实现3C-SiC单晶的稳定生长,需开发新型助溶剂,在温度低于2173K时提高硅基溶液中的C溶解度,以提高溶液法生长3C-SiC单晶的生长速度。 近日,昆明理工大学雷云、马文会等与北京青禾晶元半导体科技有限责任公司母凤文等合作,在晶体学著名期刊Crystal Growth & Design上发表2篇题为“Rapid growth of high-purity ...
其中,数字代表沿着(001)方向的碳硅双原子层数,而字母则代表晶系的类型,如C代表立方晶系(Cubic),H代表六方晶系(Hexagonal),R代表三方晶系(Rhombohedral)。例如,F-43m的碳化硅晶体可以简写为3C-SiC;P63mc、Z=4的碳化硅晶体则简写为4H-SiC;而P63mc、Z=6的碳化硅晶体则简写为6H-SiC。 此外,其形象的周期性可以在(...
日前,自然通讯(Nature Communications)期刊发表了伊利诺伊大学香槟分校材料科学与工程学院科研人员发布的重要发现——立方碳化硅(3C-SiC)块状晶体的导热系数仅次于金刚石单晶,这与之前文献中的结论大相径庭。 a )3C-SiC 和6H-SiC的原子结构;b) 3C-SiC 2 英寸晶圆的图片,尺子的单位是厘米;c)3C-SiC 晶体的拉曼光谱;...
准四代半导体3C-SiC的各项指标性能已经接近四代半导体金刚石的性能,且3C-SiC功率器件性能有望比目前主流的三代半导体4H-SiC更好更便宜更容易制造。天科合达首席科学家中科院物理所陈小龙团队采用顶部籽晶溶液生长技术(TSSG)成功生长了高质量、晶圆级3C-SiC单晶(直径2~4英寸,厚度4.0~10.0毫米),为大规模生产3C-SiC晶...
立方碳化硅(3C-SiC)是一种在极端条件下具有优异机械和物理性能的理想材料。然而,由于其生长深度有限且脆性较高,研究其材料去除和摩擦性能具有一定的挑战性。 近日,燕山大学聂安民教授、胡文涛副研究员和靳天野博士等人在Science China Materials发表研究论文,使用扫描电子显微镜对厚度约为20 μm的3C-SiC单晶进行了原位纳...
在这篇文章中,我将逐步解释3csic晶体结构的形成、性质和应用。 第一步:介绍3csic晶体结构 3csic晶体结构是一种由碳、硅和硼组成的化合物晶体。它的结构是由三个不同的元素以一定比例形成的。由于这种特殊的结构,3csic具有一些独特的性质和应用。 第二步:3csic晶体结构的形成 3csic晶体结构的形成可以通过一系列...
溶液法生长SiC单晶具有晶体结晶质量高、易实现晶体扩径、易实现低温生长、易实现稳定的P型掺杂等独特的优势,有望在将来成为大规模量产SiC单晶的主要方法。然而,由于Si-C二元溶液中C在硅熔体中的溶解度极低,导致采用Si-C二元溶液无法实现SiC单晶的快速生长。因此,如何提高Si-C溶液中的C的溶解度是实现SiC单晶快速生长...
碳化硅(Silicon carbide),化学式为SiC,分子量40.1。化学式虽然简单,但是其应用广泛,这是由碳化硅的结构决定的。 结构={组元,组元间的关系} 碳化硅是一种组成简单的物质,组元就是碳原子和硅原子。碳化硅晶体,就是由碳原子和硅原子有序排列而成。碳、硅同属于第二周期元素,原子半径差距不大,堆积方式可以从等径球体...