2N7002KT1G 是一种 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),通常简称为 N 沟道 MOSFET。这种器件被广泛用于电子电路中,以控制电流流动并实现信号开关和放大等功能。 N7002KT1G 是一种 N 沟道 MOSFET,它包含了源极(Source)、漏极(Drain)和栅极(Gate)三个主要区域。通过在栅极上施加电压,可以控制源极到漏...
表面贴装 无卤素 ESD保护 -55至150°C的工作结温范围 应用 便携式器材,消费电子产品,电源管理,工业 2N7002KT1G中文参数 通道类型N晶体管配置单 最大连续漏极电流380 mA最大栅源电压-20 V、+20 V 最大漏源电压60 V每片芯片元件数目1 封装类型SOT-23最低工作温度-55 °C ...
2N7002KT1G3000/T ape & Reel Simplified Schematic SOT−23 CASE 318 STYLE 21 704 M G G MARKING DIAGRAM & PIN ASSIGNMENT 3 2 1 Drain Gate Source http://onsemi.com SOT−23 (Pb−Free)60 V 1.6 W @ 10 V R DS(on) MAX 380 mA I D MAX (Note 1)V(BR)DSS †For ...
型号 2N7002KT1G 深圳市芯圣通电子有限公司,简称芯圣通电子,是深圳地区领先的电子元器件混合型分销商。经营各类主动元件( IC集成电路,存储芯片,二、三极管等)和被动元件(电容,电阻,电感等)及机电元件(连接器,开关器件)等。既有原厂授权代理,也有操作灵活快捷的现货供应。 我们的业务涵盖工控、安防、LED照明、医疗...
商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 其他晶体管 商品关键词 2N7002KT1G、 ON、 安森美、 SOT、 23 商品图片 商品参数 品牌: 安森美 封装: SOT-23 批号: 新年份 数量: 250000 制造商: ONSemiconductor 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/箱体: SOT-23-3 通道数量: 1Chan...
- 2N7002KT1G Manufacturer Part # Datasheet Description ON Semiconductor 2N7002KT1G 112Kb / 6P Small Signal MOSFET 60 V, 380 mA, Single, N.Channel, SOT.23 May, 2012 ??Rev. 10 2N7002KT1G 103Kb / 6P Small Signal MOSFET 60 V, 380 mA, Single, N?묬hannel, SOT??3 February, 2013...
2N7002KT1G 97Kb/6PSmall Signal MOSFET October, 2016 ??Rev. 15 More results “安森美半导体 家公开交易的公司,该公司设计,开发和生产各种半导体产品,用于各种应用,包括汽车,计算,消费品,工业和通信市场。 该公司成立于1999年,总部位于亚利桑那州凤凰城。
型号: 2N7002KT1G 封装: SOT23 批号: 18+ 数量: 360000 制造商: ON Semiconductor 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SOT-23-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 60 V Id-连续漏极电流: 380 mA Rds On-漏源导通电阻: 1.6 Ohms Vgs - 栅...
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型号: 2N7002KT1G 封装: SOT-23 批号: 22+ 数量: 10000 制造商: ON Semiconductor 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SOT-23-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 60 V Id-连续漏极电流: 380 mA Rds On-漏源导通电阻: 1.6 Ohms Vgs - ...