2N7002KT1G 是一种 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),通常简称为 N 沟道 MOSFET。这种器件被广泛用于电子电路中,以控制电流流动并实现信号开关和放大等功能。 N7002KT1G 是一种 N 沟道 MOSFET,它包含了源极(Source)、漏极(Drain)和栅极(Gate)三个主要区域。通过在栅极上施加电压,可以控制源极到漏...
(Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 1.6Ω @ 500mA, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 2.5V @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V 输入电容(Max)@Vds: 24.5 pF @ 20 V FET 功能: Standard 功率耗散(Max): 350mW (Ta) 工作温度范围: -55℃~150℃ ...
部件名: 2N7002KT1G. 下载. 文件大小: 97Kbytes. 页: 6 Pages. 功能描述: Small Signal MOSFET. 制造商: ON Semiconductor.
2N7002KT1G 是一种 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),通常简称为 N 沟道 MOSFET。这种器件被广泛用于电子电路中,以控制电流流动并实现信号开关和放大等功能。 N7002KT1G 是一种 N 沟道 MOSFET,它包含了源极(Source)、漏极(Drain)和栅极(Gate)三个主要区域。通过在栅极上施加电压,可以控制源极到漏...