低电压操作:2N7002KT1G 通常被设计用于低电压操作,适用于 2.5V 至 60V 的电源电压范围。这使得它适用于各种低电压应用,例如电池供电的设备。 低功耗:这种 MOSFET 具有低静态功耗特性,因此在截止状态时消耗的功率非常小,有助于节省能源和延长电池寿命。
VBsemi 的 2N7002KT1G-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET,采用 SOT23-3 封装。这款 MOSFET 具有低漏源电压和低导通电阻,适用于低功率应用。 ### 详细参数说明 - **型号**: 2N7002KT1G-VB - **封装**: SOT23-3 - **配置**: 单 N 沟道 - **漏源电压 (VDS)**: 60V - **栅源电压 (VGS)**: ±...