2N7002KT1G中文参数 通道类型N晶体管配置单 最大连续漏极电流380 mA最大栅源电压-20 V、+20 V 最大漏源电压60 V每片芯片元件数目1 封装类型SOT-23最低工作温度-55 °C 安装类型表面贴装最高工作温度+150 °C 引脚数目3典型栅极电荷@Vgs0.7 nC @ 4.5 V ...
2N7002KT1G的主要参数包括: 1. 最大导通电流(ID):该参数表示2N7002KT1G能够承受的最大电流。在25°C的工作温度下,2N7002KT1G的最大导通电流为0.51安培。这使得它非常适用于低功率应用。 2. 最大漏极源级电压(VDS):2N7002KT1G能够承受的最大漏极源级电压为60伏特。这使得它能够用于低电压系统中。 3. 阈...
典型特性 封装设计参数 总之,2N7002KT1G 是一种 N 沟道 MOSFET,具有良好的电流控制和低功耗特性,适用于各种低电压和低功率应用。在设计和使用电子电路中,特别是在需要控制电流流动或实现信号开关的场合,这种器件是非常有用的 导通状态:当在栅极上施加正电压时,可以进入导通状态,允许电流从源极流向漏极。栅极电压通...
图片原厂型号制造商数据手册分类关键参数单价库存操作 2N7002KT1GON Semiconductor数据手册小信号MOSFET ±20V 350mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) SOT-23 1.6Ω@500mA,10V N-Channel 60V 320mA(Ta) ￥0.2792 18,000当前型号 2N7002P,215Nexperia数据手册小信号MOSFET ...
2N7002KT1G现货_参数_价格_ON Semiconductor 2N7002KT1G简述 制造商:ON Semiconductor 批号:新批次 描述:MOSFET NFET SOT23 60V 380mA 2.5Ohms 2N7002KT1G详细参数 2N7002KT1G价格 其他说明 价格有优势,2N7002KT1G国内现货当天可发货。
2N7002KT1G-VB由VBsemi(微碧半导体)设计生产,立创商城现货销售。2N7002KT1G-VB价格参考￥0.201。VBsemi(微碧半导体) 2N7002KT1G-VB参数名称:类型:1个N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):250mA;耗散功率(Pd):300mW;阈值电压(Vgs(th)):2.5V;输入电容(Ciss
起订数 1000个起批 5000个起批 20000个起批 发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 其他晶体管 商品关键词 2N7002KT1G、 ON/安森美 商品图片 商品参数 品牌: ON/安森美 批次: 21+ 数量: 2500 湿气敏感性等级 (MSL): 1(无限) 产品族: 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 FET 类型:...
商品参数 品牌: ON 封装: 2115+ 批号: SOT-223 数量: 2850 制造商: ON Semiconductor 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SOT-23-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 60 V Id-连续漏极电流: 380 mA Rds On-漏源导通电...
技术参数 品牌: ON/安森美 型号: 2N7002KT1G 封装: SOT23-3 批号: 23+ 数量: 20000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -40C 最大工作温度: 100C 最小电源电压: 4V 最大电源电压: 7V 长度: 2.6mm 宽度: 7.8mm 高度: 2.9mm 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因...