型号 2N7002K-T1-GE3 技术参数 品牌: VISHAY威世 型号: 2N7002K-T1-GE3 封装: SOT23 批号: 2021+ 数量: 658900 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SOT-23-3 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 60 V Id-连续漏极电流: 300 ...
2N7002K-T1-GE3由Vishay设计生产。2N7002K-T1-GE3封装/规格:配置/单路:栅极电荷(Qg)/0.6nC:阈值电压/2.5V@250µA:漏极电流/300mA:晶体管类型/N沟道:功率耗散/350mW:额定功率/350mW:充电电量/0.4nC:反向传输电容Crss/2.5pF:栅极源极击穿电压/±20V:击穿电压/60V:极性/N-沟道:元件生命周期/Active:应用等...
唯样商城为您提供Vishay设计生产的2N7002K-T1-GE3 元器件,主要参数为:-55°C~150°C(TJ) SOT-23 300mA 0.35W 2Ω 60V 1V,2N7002K-T1-GE3库存充足,购买享优惠!
2N7002K-T1-GE3 全球供应商 全球供应商 (10家) 刷新货币单位:原货币USD-$ 美元RMB-¥ 人民币EUR-€ 欧元GBP-£ 英镑CAD-C$ 加币CHF-₣ 法郎HKD-$ 港币INR-RS 卢比JPY-¥ 日元KRW-₩ 韩元RUB-₽ 卢布TWD-$ 新台币 需求数量: -+
发货地 广东东莞 商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 其他晶体管 商品关键词 2N7002K-T1-GE3、 VISHAY威世、 SOT-23SOT-23-3 商品图片 商品参数 品牌: VISHAY威世 封装: SOT-23SOT-23-3 批号: 21+ 数量: 3000 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体:...
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 其他晶体管 商品关键词 2N7002K-T1-GE3、 VISHAY/威世、 SOT-23 商品图片 商品参数 品牌: VISHAY/威世 封装: SOT-23 批号: 2018+ 数量: 180265 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SOT-23-3 ...
2N7002K-T1-GE3.产品信息 晶体管极性 N沟道 电流, Id 连续 190mA 漏源电压, Vds 60V 在电阻RDS(上) 2ohm 电压@ Rds测量 10V 阈值电压 Vgs 1V 功耗Pd 350mW 晶体管封装类型 SOT-23 针脚数 3引脚 工作温度最高值 150°C 产品范围 - 汽车质量标准 - MSL MSL 1 - Unlimited ...
2n7002k-t1-ge3功率场效应管, mosfet, n通道, 60 v, 190 ma, 2 ohm, sot-23, 表面安装图片仅用于图解说明,详见产品说明。制造商产品编号 2n7002k-t1-ge3库存编号 3879336技术数据表添加进行比较 包装选项切割卷带复卷整卷 6,000 有货 需要更多? 6000 件可于 5-6 个工作日内送达 (英国 库存)...
品牌名称ElecSuper(静芯微) 商品型号 2N7002K-T1-GE3-ES 商品编号 C5224211 商品封装 SOT23-3L 包装方式 编带 商品毛重 0.035克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个N沟道 漏源电压(Vdss)60V 连续漏极电流(Id)380mA ...
价格 ¥ 1.00 起订数 100个起批 发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 其他晶体管 商品关键词 2N7002K-T1-GE3、 VISHAY/威世、 SOT-23 商品图片 商品参数 品牌: VISHAY/威世 封装: SOT-23 批号: 2022+ 数量: 100000 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格...