免费查询更多1200v sic电源板详细参数、实时报价、行情走势、优质商品批发/供应信息等,您还可以发布询价信息。
免费查询更多sic模块 1200v详细参数、实时报价、行情走势、优质商品批发/供应信息等,您还可以发布询价信息。
目前公司半导体业务已成功研发出具有性能优异的1200V SiC MOSFET，不同规格以及封装灵活的SiC MOSFET器件，可以满足电动汽车OBC、充电桩、不间断电源以及太阳能和储能系统等多个汽车和工业市场。通过创新工艺技术，公司半导体业务的SiC MOSFET产品组合在多个参数上实现了一流的性能：1. 出色的导通电阻温度稳定性。在25℃...
纳芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列产品，该产品RDSon为60mΩ，具有通孔式TO-247-4L与表面贴装TO-263-7L两种封装形式，可提供车规与工规两种等级。纳芯微的碳化硅MOSFET具有卓越的RDSon温度稳定性、门极驱动电压覆盖度更宽、具备高可靠性，适用于电动汽车(EV) OBC/DCDC、热管理系统、光伏和储能系...
目前公司半导体业务已成功研发出具有性能优异的1200V SiC MOSFET,不同规格以及封装灵活的SiC MOSFET器件,可以满足电动汽车OBC、充电桩、不间断电源以及太阳能和储能系统等多个汽车和工业市场。 通过创新工艺技术,公司半导体业务的SiC MOSFET产品组合在多个参数上实现了一流的性能: 1. 出色的导通电阻温度稳定性。在25℃...
真实性核验 主营商品:Sic碳化硅、MOS管、肖特基二极管、SiC碳化硅 进入店铺 全部商品 店内热销 查看详情 INN650D150A 氮化镓MOS管 LED照明驱动器 650V 17A DFN8X8 元器件 ￥12.00 查看详情 INN650D260A 氮化镓MOSFET管 光伏储能系统器件 650V 14A DFN8X8 ￥7.00 查看详情 INN650DA150A 氮化镓电子电器电源设...
东芝电子今日宣布，最新推出第3代碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管（SBD）产品线中增添“TRSxxx120Hx系列”1200 V产品，为其面向太阳能逆变器、电动汽车充电站和开关电源等工业设备降低功耗。东芝现已开始提供该系列的十款新产品，其中包括采用TO-247-2L封装的五款产品和采用TO-247封装的五款产品。最新TRSxxx120Hxx系列...
安森美第二代1200V碳化硅MOSFET分为两种核心技术，一种是T设计，另一种是S设计。T设计主要针对逆变器，因此需要更低的RDS(ON)和更好的短路能力，而不是更快的开关速度。S设计对高开关性能进行了优化，因此设计具有较低的QG(TOT) 和较高的di/dt和dv/dt，从而降低开关损耗。M3S产品分为13/22/30/40/70mΩ，...
三相全桥1200V/340A SiC MOSFET 智能功率模块 CMT-PLA3SB12340A CMT-PLA3SB12340A -- CISSOID -- 面议 深圳市邦晶科技有限公司 1年 -- 立即询价 查看电话 QQ联系 碳化硅模块及分立器件SICMOSFET半导体IGCT模块7MBR150VN120-50 7MBR150VN120-50 1000 SILVERMICRO 8338mm ￥1170.0000元44~99 个 ...
图1 AKS 1200V SiC MOSFETs 技术对比 1.2 产品分布 表1 AKS 1200V G4.5 SiC MOSFETs 系列产品 1200V G4.5 技术平台拥有14 - 80mΩ多种规格及不同的封装形式,以匹配不同的拓扑电路应用。 2 技术参数 2.1 器件品质 功率器件通...