集成电路工艺原理答案2-5 第二次作业 1．（1）随着MOS 器件尺寸不断缩小，栅氧化层的厚度也必须同时减薄。在此情况下，请问MOS 器件对Na ＋的玷污的敏感度是增加了还是降低了，为什么？（2）在栅氧化层厚度不断减薄的情况下，对于硅片衬底的掺杂（或者器件沟道区的阈值电压的调整注入），必须采用什么样的措施...