第六章 目录 一、CVD概述 •化学气相淀积(ChemicalVapor Deposition,CVD)是把构成薄膜物质 的气态反应剂或液态反应剂的蒸气以 合理的流速引入反应室，在衬底表面 发生化学反应，淀积成膜的工艺方法。•淀积薄膜是非晶或多晶态，衬底不要 求是单晶，只要是具有一定平整度，能经受淀积温度即可。薄膜 衬底 一、CVD...
——原理与工艺 第一章 目录 1.1单晶硅特性 硅与锗、砷化镓电学性质比较 电学性质（室温）禁带宽度（eV）禁带类型 晶格电子迁移率（cm2/V·s）晶格空穴迁移率（cm2/V·s）本征载流子浓度（cm-3）本征电阻率（Ω·cm）Si1.12间接1350480 1.45×1010 2.3×105 Ge0.67间接39001900 2.4×1018 47 GaAs1....
第七章 目录 一、PVD概述 PVD是利用某种物理过程实现物质转移，将原子或分子由源（或靶）气 相转移到硅衬底表面形成薄膜的过程。工艺特点：相对于CVD而言，工艺温度低，衬底在室温~几百℃；工艺原理简单，能 用于制备各种薄膜。但是，所制备薄膜的台阶覆盖特性，附着性，致密性都不 如CVD薄膜。用途：主要用于金属类...
集成电路制造技术――原理与工艺(第二版) 王蔚等 著 京东价 ￥降价通知 累计评价 0 促销 展开促销 配送至 --请选择-- 支持 更多商品信息 商品介绍 规格与包装 售后保障 商品评价 本店好评商品 出版社:电子工业出版社 ISBN:9787121282775 版次:2 商品编码:11932484 ...
——原理与工艺 第11章 11.1金属化与多层互连 金属及金属性材料在芯片上的应用被称为金属化，形成的整个金属及金属性材料结构称金属化系统。金属化材料可分为三类：1互连材料指将同一芯片内的各个独立的元器件连接成为具有一定功能的电路模块；2接触材料是指直接与半导体材料接触的材料以及提供与外部相连的连接点；3...
集成电路制造技术--原理与工艺(第2版电子科学与技术类专业精品教材工业和信息化部十二五规划教材) 9 王蔚等 著 京东价 ￥降价通知 累计评价 0 促销 展开促销 配送至 --请选择-- 支持 更多商品信息 金益图书专营店 店铺星级 商品评价4.9 高 物流履约4.5 中 ...
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第1单元 硅衬底 本单元从单晶硅特性、硅片制备和外延技术入手，深入浅出地介绍了硅衬底的制备过程和外延技术的重要性，包括气相外延、分子束外延及其他外延方法，以及外延层的缺陷与检测。第2单元 氧化与掺杂 第4章至第5章详细阐述了氧化技术，包括热氧化、氧化层的质量与检测，以及扩散技术，涵盖...
需要金币:*** 金币(10金币=人民币1元) 集成电路制造技术——原理与工艺(第3版)课件 绪论--2 集成电路制造技术工艺基本要求.pptx 关闭预览 想预览更多内容,点击免费在线预览全文 免费在线预览全文 特殊字体双击安装安装后重启PPT请先安装字体 集成电路制造技术集成电路制造技术JI CHENG DIAN LU ZHI ZAO JI SHU ...
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