等离子增强化学气相淀积是采用等离子体技术把电能耦合到气体中,激活并维持 化学反应进行薄膜的一种工艺方法。衬底吸附等离子体内活泼的中性原子团与游 离基,在表面发生化学反应生成薄膜物质,并不断受到离子和电子轰击,容易迁 移、重排,使得淀积薄膜均匀性好,填充小尺寸结构能力强。 16.以铝互连系统作为一种电路芯片的...
集成电路制造技术-原理与工艺课后习题答案 下载积分: 1500 内容提示: 第一单元: 3.比较硅单晶锭 CZ,MCZ 和 FZ 三种生长方法的优缺点。 答:CZ 直拉法工艺成熟,可拉出大直径硅棒,是目前采用最多的硅棒生产方法。但直拉法中会使用到坩埚,而坩埚的使用会带来污染。同时在坩埚中,会有自然对流存在,导致生长条纹...
集成电路-集成电路制造技术原理与工艺[王蔚][习题答案(第2单元)(02) 热度: 相关推荐 第二单元习题解答 SiO2膜网络结构特点是什么?氧和杂质在SiO2网络结构中的作用和用途是什么?对SiO2膜性能有哪些影响? 二氧化硅的基本结构单元为Si-O四面体网络状结构,四面体中心为硅原子,四个顶角上为氧原子。对SiO2网络在结构...
答:从硅气相外延工艺原理可知,硅外延生长的外表外延过程是外延剂在衬底外表被吸附后分解出Si原子,他迁移到达结点位置停留,之后被后续的Si原子覆盖,该Si原子成为外延层中原子。因此衬底外表“结点位置”的存在是外延过程顺利进行的关键,如果外延衬底不是准确的(100)或(111)晶面,而是偏离一个小角度,这在其外表就会有...
集成电路制造技术-原理与工艺 课后习题答案.是在高真空溅射时,在衬底正上方插入一块高纵横比孔的平板,称为准直器。溅射原子的平均自由程足够长,则在准直器与衬底之间几乎不会发生碰撞。因此,。。。©2022 Baidu |由 百度智能云 提供计算服务 | 使用百度前必读 | 文库协议 | 网站地图 | 百度营销 ...
集成电路制造技术-原理与工艺习题答案(第1单元).docx,第一单元习题.以直拉法拉制掺硼硅锭,切割后获硅片,在晶锭顶端切下的硅片,硼浓度为 3xl015atoms/cm3o当熔料的90%已拉出,剩下10%开始生长时,所对应的晶锭上的该 位置处切下的硅片,硼浓度是多少? 一,c:C°b=3x 10
集成电路制造技术原理与工艺习题解答答案第2单元.pdf,第二单元习题解答 1. SiO 膜网络结构特点是什么?氧和杂质在 SiO 网络结构中的作用和用途是什 2 2 么?对SiO 膜性能有哪些影响? 2 二氧化硅的基本结构单元为 Si-O 四面体网络状结构,四面体中心为硅原子,四个顶角 上为
PECVD是采用等离子体技术把电能耦合到反应气体中,激活并维持化学反应进行,从而淀积薄膜的一种工艺方法。利用等离子体技术能提高化学反应速度,进而降低化学反应对温度的敏感,使之在较低温度下进行薄膜淀积。 6.SiO2作为保护膜时为什么需要采用低温工艺?目前低温SiO2工艺有哪些方法?它们降低制备温度的原理是什么? 答: 保护...
集成电路制造技术——原理与工艺[王蔚][习题答案(第3单元) 上传人:南朱里·上传时间:2012-03-01
集成电路制造技术原理与工艺王蔚习题答案