从硅气相外延工艺原理可知,硅外延生长的表面外延过程是外延剂在衬底表面被吸附后分解出Si原子,他迁移到达结点位置停留,之后被后续的Si原子覆盖,该Si原子成为外延层中原子。因此衬底表面“结点位置”的存在是外延过程顺利进行的关键,如果外延衬底不是准确的(100)或(111)晶面,而是偏离一个小角度,这在其表面就会有大量结...
集成电路制造技术原理与工艺王蔚习题答案
6.SiO2作为保护膜时为什么需要采用低温工艺?目前低温SiO2工艺有哪些方法?它们降低制备温度的原理是什么? 答: 保护膜是芯片制造的最后一个工艺步骤,这时芯片上的元、器件已制作好,如再采用高、中温工艺制作SiO2保护膜,芯片上的金属化系统或器件结构都会受损,如金属被氧化、杂质再分布带来元器件结构的改变,甚至芯片报废...
第一单元习题,以直拉法拉制掺硼硅锭,切割后获硅片,在晶锭顶端切下的硅片,硼浓度为,当熔料的已拉出,剩下开始生长时,所对应的晶锭上的该位置处切下的硅片,硼浓度是多少已知
集成电路制造技术——原理与工艺[王蔚][习题答案(第3单元) 上传人:南朱里·上传时间:2012-03-01
答: MBE 与VPE 相比生长硅,MBE 可精确控制外延层厚度,能生长极薄的硅外延层;且外延温度低,无杂质再分布现象,且工艺环境清洁,因此硅外延层杂质分布精确可控,能形成复杂杂质结构的硅外延层。但MBE 工艺设备复杂、工艺成本高、效率低。 shanren 第二单元 习题 1.SiO 2 膜网络结构特点是什么?氧和杂质在 SiO 2 ...
集成电路制造技术原理与工艺 王蔚 习题答案 目录 第一单元 习题 2 第二单元 习题 4 第三单元 习题 12 第四单元 习题 16 第五单元 习题 22 shanren 第一单元 习题 1. 以直拉法拉制掺硼硅锭,切割后获硅片,在晶锭顶端切下的硅片,硼浓度为 15 3 3×10 atoms/cm 。当熔料的90 %已拉出,剩下10%开始...
集成电路制造技术原理与工艺[王蔚][习题答案(第1单元) 第一单元 习题 1. 以直拉法拉制掺硼硅锭,切割后获硅片,在晶锭顶端切下的硅片,硼浓度为 3×1015atoms/cm 3。当熔料的90%已拉出,剩下10%开始生长时,所对应的晶锭上的该位置处切下的硅片,硼浓度是多少? 已知:C 0B =3×1015atoms/cm 3;k B ...
集成电路制造技术原理与工艺[王蔚][习题答案(第2单元).pdf,第二单元习题解答 1. SiO 膜网络结构特点是什么?氧和杂质在 SiO 网络结构中的作用和用途是什 2 2 么?对SiO 膜性能有哪些影响? 2 二氧化硅的基本结构单元为 Si-O 四面体网络状结构,四面体中心为硅原子,四个顶角