答:CZ 直拉法工艺成熟,可拉出大直径硅棒,是目前采用最多的硅棒生产方法。 但直拉法中会使用到坩埚,而坩埚的使用会带来污染。同时在坩埚中,会有自然 对流存在,导致生长条纹和氧的引入。直拉法生长多是采用液相掺杂,受杂质分 凝、杂质蒸发,以及坩埚污染影响大,因此,直拉法生长的单晶硅掺杂浓度的均 匀性较差。
答:CZ直拉法工艺成熟,可拉出大直径硅棒,是目前采用最多的硅棒生产方法。 但直拉法中会使用到坩埚,而坩埚的使用会带来污染。同时在坩埚中,会有自然 对流存在,导致生长条纹和氧的引入。直拉法生长多是采用液相掺杂,受杂质分 凝、杂质蒸发,以及坩埚污染影响大,因此,直拉法生长的单晶硅掺杂浓度的均 匀性较差。
集成电路制造外延工艺衬底淀积习题 第一单元:3.比较硅单晶锭CZ,MCZ和FZ三种生长方法的优缺点。答:CZ直拉法工艺成熟,可拉出大直径硅棒,是目前采用最多的硅棒生产方法。但直拉法中会使用到坩埚,而坩埚的使用会带来污染。同时在坩埚中,会有自然对流存在,导致生长条纹和氧的引入。直拉法生长多是采用液相掺杂,受杂...
集成电路制造技术-原理与工艺 课后习题答案.是在高真空溅射时,在衬底正上方插入一块高纵横比孔的平板,称为准直器。溅射原子的平均自由程足够长,则在准直器与衬底之间几乎不会发生碰撞。因此,。。。©2022 Baidu |由 百度智能云 提供计算服务 | 使用百度前必读 | 文库协议 | 网站地图 | 百度营销 ...
集成电路制造技术-原理与工艺课后习题答案 下载积分:1500 内容提示: 第一单元: 3.比较硅单晶锭 CZ,MCZ 和 FZ 三种生长方法的优缺点。 答:CZ 直拉法工艺成熟,可拉出大直径硅棒,是目前采用最多的硅棒生产方法。但直拉法中会使用到坩埚,而坩埚的使用会带来污染。同时在坩埚中,会有自然对流存在,导致生长条纹和...
文档简介 是在高真空溅射时,在衬底正上方插入一块高纵横比 孔的平板,称为准直器。溅射原子的平均自由程足够 长,则在准直器与衬底之间几乎不会发生碰撞。因此, 。。。人人文库> 全部分类> 教育资料 > 课件下载 温馨提示 1. 本站所有资源如无特殊说明,都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD...
集成电路制造技术-原理与工艺 课后习题答案 第一单元: 3.比较硅单晶锭 CZ,MCZ 和 FZ 三种生长方法的优缺点。 答: CZ 直拉法工艺成熟,可拉出大直径硅棒,是目前采用最多的硅棒生产方法。 但直拉法中会使用到坩埚,而坩埚的使用会带来污染。同时在坩埚中,会有自然 对流存在,导致生长条纹和氧的引...
集成电路制造技术原理与工艺 王蔚 习题答案 目录 第一单元 习题 2 第二单元 习题 4 第三单元 习题 12 第四单元 习题 16 第五单元 习题 22 shanren 第一单元 习题 1. 以直拉法拉制掺硼硅锭,切割后获硅片,在晶锭顶端切下的硅片,硼浓度为 15 3 3×10 atoms/cm 。当熔料的90
第一单元,3,比较硅单晶锭CZ,MCZ和FZ三种生长方法的优缺点,答,CZ直拉法工艺成熟,可拉出大直径硅棒,是目前采用最多的硅棒生产方法,但直拉法中会使用到坩埚,而坩埚的使用会带来污染,同时在坩埚中,会有自然对流存在,导致生长条纹和氧的引入
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