一、集成电路制造技术 硅基集成电路芯片的生产过程 一、集成电路制造技术 npn晶体管芯片的工艺流程 be n+ pn n+ c 由5个单项工艺：按照一定的顺序排列而成。一、集成电路制造技术 集成电路芯片工艺与分立器件工艺的异同 是在分立器件工艺基础上发展起来的 同一单项工艺基本相同，但是要求会更高 与分立器件工艺最大...
《集成电路制造技术——原理与工艺（修订版）》是2013年电子工业出版社出版的图书，作者是王蔚、田丽、任明远 。内容简介 本书按照教育部本科生“模拟电子技术”的课程要求编写而成。全书系统地介绍了模拟电子电路的基础知识，并着重讲述了模拟电子技术的基本原理和基本分析方法，内容包括：半导体材料及常用半导体器件，...
教材：王蔚《微电子制造技术---原理与工艺》（修订版）电子工业出版社2013 参考书：关旭东《硅集成电路工艺基础》北京大学出版2003 清华大学《集成电路工艺》多媒体教学课件2001StephenA.C.《微电子制造科学原理与工程技术》电子工业出版社，2003 考核方式：考勤20+作业10+考试（闭卷）70 集成电路制造技术——原理与...
16.以铝互连系统作为一种电路芯片的电连系统时,若分别采用真空蒸镀和磁控溅射工艺淀积铝膜,应分别从哪几个方面来提高其台阶覆盖特性?真空蒸镀:通过衬底加热和衬底旋转能够改善真空蒸镀的台阶覆盖特性。P214磁控溅射:充分升高衬底温度,在衬底上加射频电压,采用强迫填充技术,采用准直溅射技术。P224(tn枉乾乌码 入曜...
集成电路制造技术-原理与工艺.ppt,*/43 双扩散台面(MESA)晶体管 气相扩散 图形化-腐蚀 */43 平面工艺发明人:Jean Hoerni -- Fairchild 1958-1960: 氧化 p-n结隔离 Al的蒸发 …… */43 扩散 光刻 氧化 掩蔽 */43 平面工艺基本光刻步骤 光刻胶 掩膜版 */43 应用平面工
等离子增强化学气相淀积是采用等离子体技术把电能耦合到气体中,激活并维持 化学反应进行薄膜的一种工艺方法。衬底吸附等离子体内活泼的中性原子团与游 离基,在表面发生化学反应生成薄膜物质,并不断受到离子和电子轰击,容易迁 移、重排,使得淀积薄膜均匀性好,填充小尺寸结构能力强。 16.以铝互连系统作为一种电路芯片的...
11、工艺方法。衬底吸附等离子体内活泼的中性原子团与游 离基,在表面发生化学反应生成薄膜物质, 并不断受到离子和电子轰击,容易迁 移、重排,使得淀积薄膜均匀性好,填充小尺寸结构能力强。16.以铝互连系统作为一种电路芯片的电连系统时,若分别采用真空蒸镀和磁控溅射工艺淀积铝膜,应分别从哪几个方面来提高其台阶覆...
集成电路制造技术-原理与工艺课后习题答案 第一单元: 3. 比较硅单晶锭CZ,MCZ和FZ三种生长方法的优缺点。 答:CZ直拉法工艺成熟,可拉出大直径硅棒,是目前采用最多的硅棒生产方法。 但直拉法中会使用到坩埚,而坩埚的使用会带来污染。同时在坩埚中,会有自然对流存在,导致生长条纹和氧的引入。直拉法生长多是采用...
请先安装字体特殊字体双击安装安装后重启PPT主讲集成电路制造技术集成电路制造技术/某某某JI CHENG DIAN LU ZHI ZAO JI SHU ——原理与工艺第六章 化学气相淀积CVD工艺原理CVD工艺原理JI CHENG DIAN LU ZHI ZAO JI SHU CVD工艺原理2.1薄膜淀积过程 SiH4(H2) → Poly-Si + 2H2混合气体进入,气流是粘滞流,主气流...