集成电路制造技术原理与工艺 王蔚 习题答案 目录 第一单元 习题 2 第二单元 习题 4 第三单元 习题 12 第四单元 习题 16 第五单元 习题 22 shanren 第一单元 习题 1. 以直拉法拉制掺硼硅锭,切割后获硅片,在晶锭顶端切下的硅片,硼浓度为 15 3 3×10 atoms/cm 。当熔料的90 %已拉出,剩下10%开始...
集成电路制造技术原理与工艺习题解答答案第2单元.pdf,第二单元习题解答 1. SiO 膜网络结构特点是什么?氧和杂质在 SiO 网络结构中的作用和用途是什 2 2 么?对SiO 膜性能有哪些影响? 2 二氧化硅的基本结构单元为 Si-O 四面体网络状结构,四面体中心为硅原子,四个顶角 上为
其原理基于半导体材料的特性,如硅的导电性可通过掺杂等手段精确控制。 在工艺方面,光刻技术是关键。它像一台高精度相机,将设计好的电路图案投影到硅片上。刻蚀工艺则如同雕刻师,按照光刻出的图案去除不需要的部分。薄膜沉积工艺能在硅片上形成各种功能薄膜,如绝缘膜或金属导电膜。掺杂工艺用于调整半导体的电学性能。这...
薄膜沉积工艺为构建多层电路结构提供基础。化学机械抛光确保硅片表面的平整度,以利于后续工艺的精准进行。这些工艺相互配合、层层递进,在微小的芯片上构建起复杂的电路系统,使集成电路不断朝着高性能、低功耗、小尺寸的方向发展,推动着计算机、通信等众多产业的革新。 集成电路制造技术原理与工艺答案 《集成电路制造技术原...
书写的非常好,机理到理论再到工艺都讲的很好,对于我这样的急于科普集成电路知识的人来说,非常适用。只是好久没学习了,到了书的理论部分,看起来有点费劲,我准备先通读一遍,在精读一遍。 评分☆☆☆ 要好好好好好好解决就将计就计 评分☆☆☆ 经典教材,用来上课还是非常不错的。 集成电路制造技术——原理...
2023年集成电路制造技术原理与技术试题库.pdf,填空题 (30分=1分*30) (只是答案) 层、 衮化依淀积 、管淀积 、磨椒 坞。 3. 硅锭近 径从 0世 纪 50年代 初期 的不 到 5mm增长到 半导体级硅、 G S G 、 电子 级硅°CZ法 、 区爆法 、硅 1. 常用 的半导体材料
《半导体集成电路制造技术》主要讲述半导体集成电路的制造技术,既有基本原理和工艺技术的阐述,也有国内外近期发展状况的介绍。《半导体集成电路制造技术》根据半导体集成电路的基本原理和内部结构以及版图设计,通过半导体材料制备、化学清洗、薄膜沉积、NP掺杂、光刻、金属化处理、生产整合与自动化等工艺整合,讲解集成电路的...
1.1集成电路制造工艺模块: IC制造基础 包含:课件:集成电路的类别、IC设计与制造的流程;讲课视频和作业。 1.2.氧化 包含: (1)课件:薄膜、氧化工艺;讲课视频和作业。 (2)实验:热氧化原理、实验及生产演示、质量检验;VR操作;热分解淀积 原理和生产演示。
第一单元习题1.以直拉法拉制掺硼硅锭,切割后获硅片,在晶锭顶端切下的硅片,硼浓度为3×1015atoms/cm3。当熔料的90%已拉出,剩下10%开始生长时,所对应的晶锭上的该位置处切下的硅片,硼浓度是多少已知:C0B=3×1015atoms/cm3;kB=;由lsCCk得:硅熔料中硼的初始浓度为:C0l=C0B/kB=3×1015/≈×1015atoms...
现代集成电路制造技术原理与实践 2025 pdf epub mobi 电子书 著者简介 李惠军,1975年毕业于南京邮电学院半导体器件专业。山东大学信息科学与工程学院教授、山东大学孟堯微电子研发中心主任。从事超大规模集成电路制造工艺技术的教学及超深亚微米集成化器件工艺与器件物理特性级TCAD可制造性设计的研究。曾获山东省科学技术进步...