据悉,这种全新的晶体管在铁电材料氮化铝钪(AlScN)上覆盖了一种叫做二硫化钼(MoS2)的二维半导体,首次证明了这两种材料可以有效地结合在一起,制造出对工业制造有吸引力的晶体管。 Jariwala说:“因为我们把铁电绝缘体材料和二维半导体结合在一起,所以两者都非常节能。你可以把它们用于计算和存储,效率也很高。” 据称,该...
叶教授表示:“我们采用具有铁电特性的半导体。这样一来,两种材料变成一种材料,你不必再担心界面问题。”结果就制造出了一种所谓的“铁电半导体场效应晶体管”,它与目前计算机芯片上所用的晶体管的制造方法相同。 α-In2Se3 这种材料不仅具有铁电特性,还可以解决传统铁电材料通常用作绝缘体而不是半导体的问题,这个问题...
这种晶体管结构利用铁电效应来调控沟道电荷载流子的性质,从而实现对器件的控制。 以下是这种晶体管的主要特点和原理: 1.材料选择:沟道部分通常采用铁电半导体材料。铁电材料表现出在外加电场下发生可逆极化的特性,这可以用来调节沟道的导电性质。 2.铁电效应:铁电效应是指材料在外部电场作用下能够表现出极化行为。对于...
铁电场效应晶体管包括半导体衬底,该半导体衬底包含在源极区域和漏极区域之间延伸的半导体沟道.铁电栅极介电层设置在半导体沟道上方,并且包括具有电荷俘获带的铁电材料,该电荷俘获带包括由铁电材料的界面陷阱生成的电子态.栅电极位于铁电栅极介电层上,并且配置为通过从栅极偏置电路分别施加导通电压和截止电压来为铁电场效应...
摘要 本发明公开了一种采用一维半导体纳米材料替代硅材料作为导电通道的铁电场效应晶体管及其制备方法。该铁电场效应晶体管由衬底(1)和沉积在其上的栅区(2),以及源区(3)、漏区(5)和位于源区(3)和漏区(5)之间的一维半导体纳米材料导电通道(4)组成,源区(3)和漏区(5)均为几十纳米厚的金属层,在制作源区(...
公开了一种三维(3D)铁电偶极金属氧化物半导体铁电场效应晶体管(MOSFeFET)系统及相关方法和系统.该3D铁电偶极MOSFeFET系统包括底部电介质层(328);栅极层(332),其设置在底部电介质层上方;以及顶部电介质层(334),其设置在栅极层上方.该3D铁电偶极MOSFeFET系统还包括至少一个源极线(SL)线和至少一个位线(BL)....
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“我们使用了具有铁电特性的半导体。两种材料就变成一种材料,这样就不必担心接口问题。” Ye说。 结果就成为了所谓的铁电半导体场效应晶体管,其构建方式与当前计算机芯片上使用的晶体管相同。 α硒化铟材料不仅具有铁电性能,而且还解决了“ 禁带宽度 ” 通常充当绝缘体而不是半导体常规铁电材料的问题,这意味着电流无法...
6.本发明的技术解决措施如下:一种基于二维层间滑移铁电半导体的场效应晶体管器件,包括由下至上依次叠置的支撑衬底、背栅电极、铁电介质层、绝缘介质层和源漏电极,所述源漏电极包括源极电极和漏极电极,所述源极电极和漏极电极之间设置有导电沟道,所述导电沟道为石墨烯材料,所述铁电介质层为层状二维层间滑移铁电...
金属-铁电体-半导体场效应晶体管2) MISFET 金属-绝缘体-半导体场效应晶体管 1. The selective etching solution is applied to the fabrication of undoped-GaAs/n-GaAs modulation-doped channel MISFET. 利用这种选择腐蚀技术制备了undoped-GaAs/n-GaAs调制掺杂沟道金属-绝缘体-半导体场效应晶体管,获得了很好的...