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场效应管:场效应管(FET)基于单极型晶体管的原理,即通过改变沟道中的电场来控制源极和漏极之间的电流。 输入阻抗: 晶体管:输入阻抗相对较低,因为基极需要电流来控制。 场效应管:输入阻抗非常高,因为栅极控制是通过电压实现的,不需要电流。 功耗: 晶体管:在开关应用中,晶体管的功耗相对较高,因为基极电流会导致功耗。
场效应管是另一种重要的半导体器件,通过电场控制电载流子的通道,从而实现对电流的控制。与晶体管相比,场效应管具有更高的输入阻抗和更低的功耗。 1.结构 场效应管由多层不同掺杂的半导体材料构成。通常包括掺杂浓度较高的汇集区、控制区和栅极。 2.工作原理 场效应管的工作原理是基于阻挡层控制电流的流动。通过施加...
MOS，是MOSFET的缩写。MOSFET金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）。产品简介 一般是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain ...
第一只绝缘栅极场效应晶体管IGFET是采用二氧化硅绝缘层的MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect ...
场效应管的出现，进一步推动了电子学的进步，使得微波、卫星、激光等技术得以实现。那么，场效应管能否完全取代晶体管呢？就像晶体管取代电子管那样？这个问题并不复杂，但我们需要从多个方面来分析。场效应管和晶体管的区别 首先，我们来看看场效应管和晶体管有什么区别。从结构上看，场效应管和晶体管都是由三个部分...
功率场效应晶体管(MOSFET)的结构、工作原理,包括VMOSFET和CoolMOS的改进,以及MOSFET的稳态和动态特性,如输出特性和动态开关过程。还涵盖了关键参数如导通电阻 3.4 功率场效应晶体管 3.4.1 基本结构与工作原理 MOSFET--Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,金属氧化物半导体场效应晶体管。
金属氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效应晶体管是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效应晶体管。效应管 金属氧化物半导体场效晶体管（简称：金氧半场效晶体管；英语：Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，缩写：MOSFET），是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。金属氧化物...