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场效应管:场效应管(FET)基于单极型晶体管的原理,即通过改变沟道中的电场来控制源极和漏极之间的电流。 输入阻抗: 晶体管:输入阻抗相对较低,因为基极需要电流来控制。 场效应管:输入阻抗非常高,因为栅极控制是通过电压实现的,不需要电流。 功耗: 晶体管:在开关应用中,晶体管的功耗相对较高,因为基极电流会导致功耗。
MOS，是MOSFET的缩写。MOSFET金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）。产品简介 一般是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain ...
场效应管的工作原理 场效应管(Field-Effect Transistor,简称FET)是一种电压控制器件,其工作原理与晶体管不同。场效应管主要由源极(Source)、漏极(Drain)和栅极(Gate)组成。场效应管的导电通道位于源极和漏极之间,其导电性受到栅极电压的控制。 在N型场效应管中,源极和漏极都是N型半导体,栅极是P型半导体。当...
场效应管的出现，进一步推动了电子学的进步，使得微波、卫星、激光等技术得以实现。那么，场效应管能否完全取代晶体管呢？就像晶体管取代电子管那样？这个问题并不复杂，但我们需要从多个方面来分析。场效应管和晶体管的区别 首先，我们来看看场效应管和晶体管有什么区别。从结构上看，场效应管和晶体管都是由三个部分...
第一只绝缘栅极场效应晶体管IGFET是采用二氧化硅绝缘层的MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect ...
功率场效应晶体管(MOSFET)的结构、工作原理,包括VMOSFET和CoolMOS的改进,以及MOSFET的稳态和动态特性,如输出特性和动态开关过程。还涵盖了关键参数如导通电阻、开启电压和最大允许功率损耗等。 3.4 功率场效应晶体管 3.4.1 基本结构与工作原理 MOSFET--Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,金属氧化物半导体...
场效应管通过电场控制电子或空穴的流动;晶体管通过基极电流控制电子或空穴的流动;晶闸管则是利用PNP结构在一定条件下的自激振荡效应来控制电荷载流子的流动。三者在工作原理、应用领域以及性能特点等方面都有所不同。场效应管具有高速、低噪音、低功耗等优点;晶体管是最常见的电子器件之一,广泛...