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MOS，是MOSFET的缩写。MOSFET金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）。产品简介 一般是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain ...
功率场效应晶体管(MOSFET)的结构、工作原理,包括VMOSFET和CoolMOS的改进,以及MOSFET的稳态和动态特性,如输出特性和动态开关过程。还涵盖了关键参数如导通电阻 3.4 功率场效应晶体管 3.4.1 基本结构与工作原理 MOSFET--Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,金属氧化物半导体场效应晶体管。
第一只绝缘栅极场效应晶体管IGFET是采用二氧化硅绝缘层的MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect ...
而场效应管和晶体管各有优劣，没有绝对的好坏之分。具体应用时，要根据不同的需求和条件来选择合适的器件。所以我认为就目前的应用场景来说，场效应管并不能完全替代晶体管。也就是说在可以预见的将来晶体管不会被场效应管逐步取代。场效应管的应用和发展 那么，场效应管都有哪些应用呢？我们来看看一些典型的例子...
金属氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效应晶体管是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效应晶体管。效应管 金属氧化物半导体场效晶体管（简称：金氧半场效晶体管；英语：Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，缩写：MOSFET），是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。金属氧化物...
离子敏场效应晶体管（Ion sensitive field effect transistor ISFET） 是一种微电子离子选择性敏感元件，兼有电化学和晶体管的双重特性。ISFET以其敏感区面积小、响应快、灵敏度高、输出阻抗低、样品消耗量少、易于批量制造和成本低等优势，在临床、食品、环境、军事甚至机器人方面都得到应用，特别是在生物化学传感器...
CFET（垂直堆叠互补场效应晶体管）是一种 CMOS 工艺，其中晶体管垂直堆叠，而不是像所有先前的逻辑工艺那样位于同一平面，比如平面工艺、FinFET、纳米片场效应晶体管（NSFET，也称为环栅或 GAA）。CFET 将会被用于未来更为尖端的埃米级制程工艺。CFET 的概念最初由 IMEC 研究机构提出，被认为是继环栅多通道晶体管...