(2)场效应管只有多子参与导电,晶体管内既有多子又有少子参与导电,而少子数目受温度、辐射等因素影响较大,因而场效应管比晶体管的温度稳定性好、抗辐射能力强。 (3)场效应管的噪声系数很小。 (4)场效应管的漏极与源极可以互换后特性变化不大,而晶体管的发射极与集电极互换后特性差异很大。 (5)场效应管比晶...
晶体管则受少数载流子浓度的影响较大,对温度等外界条件较为敏感。 抗辐射性: 场效应管具有较好的抗辐射性。 晶体管的抗辐射性相对较弱。 五、制造工艺与集成度 制造工艺: 场效应管的制造工艺相对简单,易于集成。 晶体管的制造工艺则相对复杂。 集成度: 场效应管由于其制造工艺的简单性和高集成度,在大规模集成...
场效应晶体管的噪声系数较小,尤其是在低噪声放大器等应用中具有优势。 晶体管的噪声相对较大,尤其是在高频应用中。 3.3功耗 场效应晶体管在导通时的功耗较低,特别是在低电压、低电流应用中。 晶体管的功耗相对较高,尤其是在大电流应用中。 3.4开关速度 场效应晶体管的开关速度较快,适用于高速数字电路和开关电源...
场效应管和晶体管的主要区别 场效应管和晶体管是两种不同的半导体器件,它们的工作原理和应用场合各有不同。虽然这两种器件都属于半导体器件,但它们在制造、结构、特性和应用方面有着显著的区别,下面将详细介绍两种器件的主要区别。 1. 结构 晶体管是一种三端器件,它由一
答:(1)场效应管是电压控制器件,它通过栅源电压来控制漏极电流;(2)场效应管的控制输入端电流极小,因此它的输入电阻(~Ω)很大;(3)它是利用多数载流子导电,因此它的温度稳定性较好;(4)它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数;(5)场效应管的抗辐射能力强;(6)由于它不存在杂乱运...
晶体管和场效应管是电子领域中常见的两种元件,它们在电路设计中发挥着重要作用。虽然它们都是用来控制电流的电子器件,但在工作原理、结构特性和性能上存在一定差异。 一、工作原理的区别 晶体管是一种三层结构的半导体器件,通过控制基极电流来调节集电极与发射极之间的电流。而场...
场效应管与晶体管的主要区别体现在以下几个方面哦。首先,晶体管是电流控制器件,而场效应管是电压控制器件。其次,晶体管的输入电阻较低,一般只有1千欧左右,而场效应管的输入电阻可达10M以上。再者,晶体管工作时,既有电子导电也有空穴导电,场效应管则只有电子导电或只有空穴导电。另外,晶体管的发射结应保持正向偏置,...
2.1 阻态区别: 晶体管存在饱和区和截止区,而场效应管没有饱和区。当输入电流达到晶体管的饱和电流后,它将进入饱和状态,输出电流不会继续增加;而场效应管则可以在漏极电流超过一定值之前一直工作。 2.2 输出电流特点: 晶体管的输出电流将根据输入电流的变化而变化;而场效应管...
答案:晶体管通常指的是双极型晶体管(BJT),它由两个PN结组成,而场效应管(FET)是由一个PN结构成的。晶体管的工作原理是通过控制基极电流来控制集电极和发射极之间的电流,而场效应管则是通过改变栅极电压来控制漏极和源极之间的电流。晶体管的输入阻抗较低,输出阻抗较高,而场效应管则相反,输入阻抗高,输出阻抗低。