这种晶体管结构利用铁电效应来调控沟道电荷载流子的性质,从而实现对器件的控制。 以下是这种晶体管的主要特点和原理: 1.材料选择:沟道部分通常采用铁电半导体材料。铁电材料表现出在外加电场下发生可逆极化的特性,这可以用来调节沟道的导电性质。 2.铁电效应:铁电效应是指材料在外部电场作用下能够表现出极化行为。对于...
铁电场效应晶体管包括半导体衬底,该半导体衬底包含在源极区域和漏极区域之间延伸的半导体沟道.铁电栅极介电层设置在半导体沟道上方,并且包括具有电荷俘获带的铁电材料,该电荷俘获带包括由铁电材料的界面陷阱生成的电子态.栅电极位于铁电栅极介电层上,并且配置为通过从栅极偏置电路分别施加导通电压和截止电压来为铁电场效应...
叶教授表示:“我们采用具有铁电特性的半导体。这样一来,两种材料变成一种材料,你不必再担心界面问题。”结果就制造出了一种所谓的“铁电半导体场效应晶体管”,它与目前计算机芯片上所用的晶体管的制造方法相同。 α-In2Se3 这种材料不仅具有铁电特性,还可以解决传统铁电材料通常用作绝缘体而不是半导体的问题,这个问题...
VBG表示背栅电压。 图3. (a)在黑暗和不同激光功率密度下,石墨烯(Gr)/α-In2Se3/Gr基铁电半导体场效应晶体管的漏极电流(IDS)–背栅电压(VBG)传输特性曲线,以及在不同激光功率密度时(b)光电流(IPH),(c)光响应(Rl)和(d)比...
半导体纳米材料的铁电场效应晶体管行业现状分析报告是通过对半导体纳米材料的铁电场效应晶体管行业目前的发展特点、所处的发展阶段、供需平衡、竞争格局、经济运行、主要竞争企业、投融资状况等进行分析,旨在掌握半导体纳米材料的铁电场效应晶体管行业目前所处态势,并为研判半导体纳米材料的铁电场效应晶体管行业未来发展趋势提...
半导体纳米材料的铁电场效应晶体管行业趋势研究报告是通过对影响半导体纳米材料的铁电场效应晶体管行业市场运行的诸多因素所进行的调查分析,掌握半导体纳米材料的铁电场效应晶体管行业市场运行规律,从而对半导体纳米材料的铁电场效应晶体管行业的未来的发展趋势特点、市场容量、竞争趋势、细分下游市场需求趋势等进行预测。
公开了一种三维(3D)铁电偶极金属氧化物半导体铁电场效应晶体管(MOSFeFET)系统及相关方法和系统.该3D铁电偶极MOSFeFET系统包括底部电介质层(328);栅极层(332),其设置在底部电介质层上方;以及顶部电介质层(334),其设置在栅极层上方.该3D铁电偶极MOSFeFET系统还包括至少一个源极线(SL)线和至少一个位线(BL)....
半导体芯片迎大突破!全新铁电晶体管更小、更快、更节能 财联社7月14日讯(编辑 黄君芝)最先进的电子硬件在大数据革命面前都显得有些“捉襟见肘”,这迫使工程师重新思考微芯片的几乎每一个方面。随着数据集的存储、搜索和分析越来越复杂,这些设备就必须变得更小、更快、更节能,以跟上数据创新的步伐。
垂直隧穿铁电场效应晶体管推动二维半导体技术新变革 在现代电子学和光电子学的研究前沿,二维半导体材料如MoS₂因其明确的带隙、良好的稳定性以及高载流子迁移率,广泛应用于场效应晶体管(FET)等器件中。近期,华东师范大学的研究团队提出了一种新的器件架构——垂直隧穿铁电场效应晶体管(vertical tunneling FeFET),这...
金属-铁电体-半导体场效应晶体管2) MISFET 金属-绝缘体-半导体场效应晶体管 1. The selective etching solution is applied to the fabrication of undoped-GaAs/n-GaAs modulation-doped channel MISFET. 利用这种选择腐蚀技术制备了undoped-GaAs/n-GaAs调制掺杂沟道金属-绝缘体-半导体场效应晶体管,获得了很好的...