这与传统的场效应晶体管(如硅基MOSFET)不同,后者通常需要持续的电源供应来维持开关状态。 5.应用:这种晶体管的铁电特性使其在一些非挥发性存储器和低功耗逻辑电路方面具有潜在的应用。此外,铁电效应的可逆性也为器件的可重构性和可编程性提供了可能性。 需要注意的是,尽管二维铁电半导体沟道场效应晶体管具有潜在的...
特别是,基于二维材料的光电探测器由于其优异的光电探测性能而得到了广泛的研究。由于其优异的电学和光学特性,二维硒化铟(α-In2Se3)是一种很好的光电探测应用材料。此外,α-In2Se3样品,包括原子厚度的α-In2Se3层,呈现铁电性质。在...
本发明提出一种基于ⅢⅥ族材料(GaSe)层间滑移铁电场效应晶体管器件,利用该类材料中电场控制层间滑移实现极化翻转的特性,可以实现对沟道费米能级和电导率的调控,与传统铁电场效应晶体管相比,二维超薄铁电体可以显著缩小器件尺寸,增加有效栅电场,翻转或极化所需的电压可以进一步降低,从而可以实现低功耗存储.这种外加电场...
近期,华东师范大学的研究团队提出了一种新的器件架构——垂直隧穿铁电场效应晶体管(vertical tunneling FeFET),这一创新有望在提升器件性能的同时,拓展二维半导体的应用领域。这项研究于2024年11月9日发表在《Nature Communications》期刊,标志着二维半导体技术的重要进展。 这种新型的垂直隧穿铁电场效应晶体管通过设计算...
本发明提出一种基于ⅢⅥ族材料(GaSe)层间滑移铁电场效应晶体管器件,利用该类材料中电场控制层间滑移实现极化翻转的特性,可以实现对沟道费米能级和电导率的调控,与传统铁电场效应晶体管相比,二维超薄铁电体可以显著缩小器件尺寸,增加有效栅电场,翻转或极化所需的电压可以进一步降低,从而可以实现低功耗存储.这种外加电场...