碳化硅是一种宽带隙半导体材料,具有更高的禁带宽度、更高的热导率和更高的击穿电场强度。这些特性使得碳化硅 MOSFET 在高功率应用中具有优异的性能,例如电源转换、电动汽车、工业驱动和可再生能源等领域。 与传统的硅基 MOSFET 相比,碳化硅 MOSFET 具有以下优点: 1. 更高的开关速度:碳化硅的宽带隙特性使得电子在材料...
一种碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管.本发明的目的是抑制耐压下降及接通电压增加并且使体二极管电流增加.SiCMOSFET(101)具有:第1导电型的SiC衬底(1);第1导电型的漂移层(2),形成于SiC衬底(1)之上;第2导电型的基极区域(3),形成于漂移层(2)的表层;第1导电型的源极区域(4),形成于基极区域(3)的表层;栅极...
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiCMOSFET)动态栅偏试 验方法 1范围 本文件描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiCMOSFET)的动态反偏(DRB)试验方法, 用于评估高dV/dt对内部结构快速充电导致的老化。 本文件适用于芯片级和模块级SiCMOSFET。
内容提示: ICS 31.080 CCS L 40/49 团体标准 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)动态高温高湿反偏(DH3TRB)试验方法 Dynamic high-humidity,high-temperature reverse bias (DH3TRB) for Silicon Carbide Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor(SiC MOSFET) XXXX - XX - XX 发布 XXXX -...
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管半导体组件专利信息由爱企查专利频道提供,碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管半导体组件说明:一种碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管半导体组件,包括一碳化硅半导体芯片、多个金属氧化物半导体场效应...专利查询请上爱企查
0 评论次数: 0 文档热度: 文档分类: 行业资料--待分类 系统标签: 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管汤益丹说明书 (19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN104409501A(43)申请公布日2015.03.11(21)申请号CN201410643283.1(22)申请日2014.11.10(71)申请人中国科学院微电子研究所地址...
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiCMOSFETs)高温反偏 试验方法 1范围 本文件描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiCMOSFETs)高温反偏试验方法,包括: 试验装置、试验程序以及失效判据。 本文件适用范围:分立功率器件,功率模块。 2规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少...
原标题:西安交大科研人员研制成高性能碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 碳化硅 (SiC) 是电力电子领域中最重要的半导体材料之一,在新能源汽车、太阳能和风能等领域有着广泛的应用前景。SiC功率器件目前的市场份额已经超过15亿美元并且呈现出越来越迅速的发展趋势,预计在2025年SiC功率器件总市场份额将超过35亿美元。SiC...
摘要 本发明公开了一种碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管,包括:源极(1)、栅极(2)、栅氧化层(3)、N+源区(4)、P+接触区(5)、P阱(6)、N‑外延层(7)、缓冲层(8)、N+衬底(9)、漏极(10)、隔离介质(11)和额外N型注入的JFET子区域(12)。本发明提出的碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管,通过部分额外...
摘要 纳米线碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管是功率半导体器件制造技术。结合紫外线曝光的半导体技术工艺,用纳米线碳化硅构造碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管。纳米线碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管具有耐高温、耐苛刻环境、耐高电压和低导通电阻等一系列特点,广泛用于电力电子及通信工程领域。新闻...