场效应晶体管(SiC MOSFET)结壳热阻瞬态双界面测试方法T/CASAS 015-2022碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)功率循环试验方法EN 62417:2010半导体器件.金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)T/CASAS 002-2021 宽禁带半导体术语DLA SMD-5962-88503 REV J-2003硅单片双金属-氧化物半导体场效应晶体管驱动器...
T/CASAS 016-2022 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)因具有禁带宽度宽、临界击穿电场强、耐高温性能好等优点,逐渐在雷达探测、医疗通讯、交通运输以及新能源等领域广泛应用。结壳热阻作为表征热量在导热路径传输能力的重要参数,是直接反映器件热性能的关键技术指标之一,可以为器件的热设计与优化改进提供参...
T/CASAS 015—2022《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)功率循环试验方法》规定了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)功率循环试验方法,评价器件在承受规定应力的条件下是否符合规定的循环次数。对于提升SiC MOSFET器件的可靠性评价与分析技术能力,支撑SiC MOSFET器件的可靠性改进具有重要意义。 【...
产品种类 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET) RoHS 是 技术 Si 商标 Microchip / Microsemi 产品类型 RF MOSFET Transistors 工厂包装数量 1 子类别 MOSFETs 可售卖地 全国 型号 VRF157FL 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不...
百度爱采购为您找到26家最新的tmosfet 三扩散金属氧化物半导体场效应晶体管产品的详细参数、实时报价、行情走势、优质商品批发/供应信息,您还可以免费查询、发布询价信息等。
超结金属氧化物半导体场效应晶体管[6]绝缘栅N沟增强型 半导体材料:[硅、...]封装:[空腔或非空腔] 用途:反激电路、LLC半桥谐振电路、升压电路、降压电路 注意:操作静电敏感器件时应遵守的预防措施(适用时) [根据GB/T4589.1—2006的2.6][8] 参考数据[9] ...
中华人民共和国电子行业标准ICS 31.080.30L 44备案号:63642 — 2018SJ/T 9014.8.2—20182018 - 04 - 30 发布 2018 - 07 - 01 实施 半导体器件 分立器件第8-2部分:超结金属氧化物半导体场效应 晶体管 空白详细规范Semiconductor devices — Discrete devices Part 8-2: Blank detail specification for super ...
一种互补金属氧化物半导体(CMOS)静态随机存取存储器(SRAM)单元. Complementary metal oxide semiconductor (CMOS) static random access memory (SRAM) cell. 根据本公开的一方面的CMOS SRAM单元包括位线和字线. According to an aspect of the present disclosure CMOS SRAM cell includes a bit line and a word ...
T/SXERA 006-2020民用洁净煤炉具技术条件 T/CASAS 006-2020碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范 T/ZSFX 006-2020牛仔制衣厂验厂准则 T/ZSQX 006-2020建设工程施工现场扬尘防治管理规程 T/PEIAC 006-2020折叠盒侧翼成型机 T/CABEE 006-2020太阳能热水系统应用技术规程 ...