( 2012)03 — 0001 — 11 铁电场效应晶体管 : 原理、 材料设计与研究进展 陆旭兵 ,李 ( 华南师范大学华南先进光 电子研究 院, 广东广州 510006) 明, 刘俊明 摘要: 系统阐述了铁电场效应晶体管( FeFET) 的工作原理, 重点介绍了铁电层和缓冲层的材料设计的基本原理、 主要 的铁电层材料和缓冲层材料及其所...
铁电场效应晶体管闪存有机半导体氧化物半导体系统阐述了铁电场效应晶体管(FeFET)的工作原理,重点介绍了铁电层和缓冲层的材料设计的基本原理、主要的铁电层材料和缓冲层材料及其所对应的FeFET的器件性能.并介绍了基于FeFET的FeCMOS逻辑电路、FeNAND闪存电路、基于氧化物半导体和有机半导体的FeFET的最新研究成果.最后对FeFET...
摘要: 系统阐述了铁电场效应晶体管(FeFET)的工作原理,重点介绍了铁电层和缓冲层的材料设计的基本原理、主要的铁电层材料和缓冲层材料及其所对应的FeFET的器件性能.并介绍了基于FeFET的FeCMOS逻辑电路、FeNAND闪存电路、基于氧化物半导体和有机半导体的FeFET的最新研究成果.最后对FeFET的未来研究作出展望....