金属有机化合物化学气相沉积（MOCVD） ，用金属有机化合物热分解进行气相外延生长的方法。应用 其基本原理是将含有外延材料组分的金属有机化合物气体通过载气输送到反应室，在一定温度卜进行外延生长。MOCVD技术主安应少“于班一\，.族U-VT族化合物半导体超晶格量子阱等低维材料生长和多元固溶体的多层异质结构材料的...
金属有机物化学气相沉积(metal organic chemical vapour deposition)是一种利用有机金属热分解反应进行气相外延生长薄膜的化学气相沉积技术。原理 金属有机物化学气相沉积(metal organic chemical vapour deposition)又称有机金属化合物气相淀积法。一种利用有机金属热分解反应进行气相外延生长薄膜的化学气相沉积技术。该方法...
金属有机化学气相沉积(Metal-organic Chemical Vapor Deposition ,MOCVD),也被称为金属有机气相外延(Metal-organic Vapor-Phase Epitaxy,MOVPE),是在气相外延生长(Vapor-Phase Epitaxy)基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术。 这种技术始于1968年,利用有机金属化...
第一节金属有机物化学气相沉积概述一、金属有机物化学气相沉积简介金属有机物化学气相沉积（metalorganicchemicalvapordeposition，简称MOCVD），是利用金属有机化合物进行化学反应的气相沉积，这种沉积形成的可以是单晶层、多晶层或纳米结构等。因为此项技术多用于外延生长而又被称为金属有机物气相外延（metalorganicvapor...
有机金属化学气相沉积法（MOCVD，metal-organic chemical vapor deposition），用于在基板上生长半导体薄膜，进而可以制作光电、电子元件等。MOCVD设备 工艺介绍 MOCVD生长薄膜，载流气体通过金属反应源容器（起泡器蒸发前驱体），将反应源的饱和蒸气带至反应腔中与其它气体混合反应，然后在被加热的基板上面发生化学反应生长...
MOCVD技术通过在金属有机化合物和气相反应中沉积金属材料的薄膜。MOCVD可用于制备各种金属化合物,如III-V族化合物和II-VI族化合物。 2 MOCVD的原理 在MOCVD过程中,金属有机化合物被加热并分解成金属和碳(C)。这些金属离子与气态的反应气体(例如,含有III族元素的化合物,如氨气(NH3))在固体表面上发生反应,并在...
1、金属有机化学气相沉积一、原理:金属有机化学气相沉积(MOCVD )是以川族、n族元素的有机化合物和v、w族元素的氢化物等作为晶体生长源材料,以热分解反应方式在衬底上进行气相外延,生长各种川-V族、n-w族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。金属有机化学气相沉积 系统(MOCVD是利用金属有机化合物...
金属有机化学气相沉积系统(MOCVD)是利用金属有机化合物作为源物质的一种化学气相淀积(CVD)工艺,其原理为利用有机金属化学气相沉积法metal-organic chemical vapor deposition.MOCVD是一利用气相反应物,或是前驱物precursor和Ⅲ族的有机金属和V族的NH3,在基材substrate表面进行反应,传到基材衬底表面固态沉积物的工艺。 二...
金属有机化学气相沉积法(MOCVD, Metal-organicChemical Vap扩蛋娘or Deposition) ,是在基板上成长半导体薄膜的一种方法。 其他类似的名称如: MOVPE (Metal-organic Vapor-Phase Epitaxy)360百科、 OMVPE (Organometallic Vapor-Phase Epitaxy)及 OM强却证婷么厚CVD (Organometallic Chemical Vapor Deposition) 等等,其...