金属有机化合物化学气相沉积（MOCVD） ，用金属有机化合物热分解进行气相外延生长的方法。应用 其基本原理是将含有外延材料组分的金属有机化合物气体通过载气输送到反应室，在一定温度卜进行外延生长。MOCVD技术主安应少“于班一\，.族U-VT族化合物半导体超晶格量子阱等低维材料生长和多元固溶体的多层异质结构材料的...
金属有机化学气相沉积(Metal-organic Chemical Vapor Deposition ,MOCVD),也被称为金属有机气相外延(Metal-organic Vapor-Phase Epitaxy,MOVPE),是在气相外延生长(Vapor-Phase Epitaxy)基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术。 这种技术始于1968年,利用有机金属化...
有机金属化学气相沉积法（MOCVD，metal-organic chemical vapor deposition），用于在基板上生长半导体薄膜，进而可以制作光电、电子元件等。MOCVD设备 工艺介绍 MOCVD生长薄膜，载流气体通过金属反应源容器（起泡器蒸发前驱体），将反应源的饱和蒸气带至反应腔中与其它气体混合反应，然后在被加热的基板上面发生化学反应生长...
MOCVD 的实现需要一定的条件,包括反应原料、反应器、反应气氛 和反应参数等。 - 反应原料:MOCVD 所用的反应原料,主要是金属有机化合物。对 于不同的金属有机化合物,其热分解温度、气相反应性和沉积速率等 性质都不相同。- 反应器:反应器是 MOCVD 的核心部分,通常使用的是平板反应 器或石英反应器,其主要作用是...
MOCVD技术通过在金属有机化合物和气相反应中沉积金属材料的薄膜。MOCVD可用于制备各种金属化合物,如III-V族化合物和II-VI族化合物。 2 MOCVD的原理 在MOCVD过程中,金属有机化合物被加热并分解成金属和碳(C)。这些金属离子与气态的反应气体(例如,含有III族元素的化合物,如氨气(NH3))在固体表面上发生反应,并在...
优缺点:MOCVD设备将Ⅱ或Ⅲ族金属有机化合物与Ⅳ或Ⅴ族元素的氢化物相混合后通入反应腔,混合气体流经加热的衬底表面时,在衬底表面发生热分解反应,并外延生长成化合物单晶薄膜。与其他外延生长技术相比,MOCVD技术有着如下优点:(1)用于生长化合物半导体材料的各组分和掺杂剂都是以气态的方式通入反应室,因此,可以通过精...
金属有机化学气相沉积法(MOCVD, Metal-organicChemical Vap扩蛋娘or Deposition) ,是在基板上成长半导体薄膜的一种方法。 其他类似的名称如: MOVPE (Metal-organic Vapor-Phase Epitaxy)360百科、 OMVPE (Organometallic Vapor-Phase Epitaxy)及 OM强却证婷么厚CVD (Organometallic Chemical Vapor Deposition) 等等,其...
金属有机物化学气相沉积（MOCVD）是利用金属有机化合物进行气相生长的一种外延方法，可制备多种化合物及多元固溶体，是外延单晶薄膜的主要手段。本设备能够在纳米尺度上精确控制外延层的厚度、组分、掺杂及异质结界面，专门用于外延生长III-V族氮化物半导体单晶薄膜材料、低维材料及由这些材料构成的发光器件和电子器件。
解析 答案:金属有机化学气相沉积技术通过使用金属有机化合物和非金属氢化物作为前驱体,在较高温度下进行气相反应,沉积出高纯度的薄膜材料。MOCVD在制备III-V族化合物半导体、稀土材料以及多功能薄膜等方面具有重要作用,对于发展高性能电子器件和光电子器件至关重要。