MOCVD系统的各个组件包括反应腔、气体控制及混合系统、反应源及废气处理系统，它们共同协作完成有机金属化学气相沉积的过程。首先，反应腔（Reactor Chamber）是核心部分，主要由不锈钢或石英制造，内壁常有高温陶瓷内衬。腔体内设有乘载盘，一般使用石墨，既能吸收加热器能量以维持适宜的生长温度，又不会与反...
MOCVD（有机金属化学气相沉积法）是一种广泛应用于薄膜生长过程中的技术。当携带流体（通常为氢气，但在特定情况下如InGaN薄膜生长时，氮气也可能被使用）经过有机金属反应源的装置时，反应源中的饱和蒸气会被输送到反应室，与其它反应气体混合。在加热的基板表面，这些气体发生化学反应，形成所需的薄膜层。
MOCVD成长薄膜时，主要将载流气体 (Carrier gas) 通过有机金属反应源的容器时，将反应源的饱和蒸气带至反应腔中与其它反应气体混合，然后在被加热的基板上面发生化学反应促成薄膜的成长。 一般而言，载流气体通常是 氢气 ，但是也有些特殊情况下采用 氮气 （例如：成长 氮化铟镓 （InGaN）薄膜时）。 ...
MOCVD是指金属有机物化学气相沉积设备,目前广泛应用于Ⅲ-Ⅴ化合物半导体薄膜材料的生长。载气把MO源带入反应室,在Al2O3衬底上反应,沉积形成GaN薄膜材料。衬底放置于高纯石墨制成、表面包裹SiC镀层的石墨盘上,加热器布置在石墨盘下方,通过加热器对石墨盘进行加热,加热温度可达500～1300℃。
中文:金属有机化合物化学气相沉积法;英文:metal organic chemical vapor deposi-tion / MOCVD的原理;中文:金属有机化合物化学气相沉积法;英文:metal organic chemical vapor deposi-tion / MOCVD的定义;中文:金属有机化合物化学气相沉积法;英文:metal organic ch
一种有机化学气相沉积设备以及制造电流容量高的多层高温超导涂布带的方法,所述设备包括多个液体前体源,各自具有相连的泵和汽化器,所述汽化器的出口连通到金属有机化学气相沉积反应器中的多隔室喷头设备.所述多隔室喷头设备靠近有关的基质加热器,它们一起形成位于沉积区中的多沉积段区.V·塞尔瓦曼尼克姆...
金属有机气相沉积法(MOCVD)是一种提供高效制造HTS带所需成本低、产出高的沉积方法。在MOCVD中,通过在基材表面上发生的化学反应,由汽相前体将钇-钡-铜-氧(YBa2Cu3O7或“YBCO”)之类的HTS膜沉积到加热的缓冲(buffered)金属基材上。 一种表征涂布的导体的指标是其每米的成本。另外,可以根据每千安培米的成本来评...
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