Cvd法的主要特点: 1可以沉积各种晶态或非晶态的无机薄膜材料. 2纯度高,集体的结合力强。 3沉积层致密,气孔极少, 4均度性好,设备及工艺简单。 5反应温度较高。 应用:在钢铁、硬质合金、有色金属、无机非金属等材料表面制备各种用途的薄膜,主要是绝缘体薄膜,半导体薄膜,导体及超导体薄膜以及耐蚀性薄膜。 物理气象...
PVD特点:物理气相沉积技术工艺过程简单,对环境改善,无污染,耗材少,成膜均匀致密,与基体的结合力强。该技术广泛应用于航空航天、电子、光学、机械、建筑、轻工、冶金、材料等领域,可制备具有耐磨、耐腐饰、装饰、导电、绝缘、光导、压电、磁性、润滑、超导等特性的膜层。CVD特点:1)在中温或高温下,通过气态的初始...
1化学气相沉积法生产晶体、晶体薄膜 化学气相沉积法不但可以对晶体或者晶体薄膜性能的改善有所帮助，而且也可以生产出很多别的手段无法制备出的一些晶体。化学气相沉积法最常见的使用方式是在某个晶体衬底上生成新的外延单晶层，最开始它是用于制备硅的，后来又制备出了外延化合物半导体层。它在金属单晶薄膜的制备上也...
电化学气相沉积(EVD)法是CVD法的改进工艺。它是利用电势梯度把金属氧化物沉积在名孔的基片上形成电解质膜，膜的厚度一般在1~100μm之间。特点 电化学气相沉积方法制备的膜厚度均匀，附着力强，在不用较高沉积温度的基础上，每小时可使膜的厚度增长5~10pm,适用于制造各种问体氧化物燃料电池中各种厚度的膜，并且...
特点 化学气相沉积法之所以得到发展，是和它本身的特点分不开的，其特点如下。I) 沉积物种类多: 可以沉积金属薄膜、非金属薄膜，也可以按要求制备多组分合金的薄膜，以及陶瓷或化合物层。2) CVD反应在常压或低真空进行，镀膜的绕射性好，对于形状复杂的表面或工件的深孔、细孔都能均匀镀覆。3) 能得到纯度高、...
化学气相沉积(CVD)是指在相当高的温度下,混合气体与基体的表面相互作用,使混合气体中的某些成分分解,并在基体表面形成一种金属/陶瓷的固态薄膜或镀层。按照化学反应时的参数和方法不同,可将其分为常压CVD法、低压CVD法、热CVD法、等离子CVD法、超声波CVD法、脉冲CVD法及激光CVD法等。化学气相沉...
CVD代表化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition），是一种常用的薄膜制备工艺。在CVD过程中，通过在适当的气氛中将反应气体转化为化学反应产物，使其沉积在基底表面形成薄膜。CVD工艺通常涉及以下步骤：1. 反应气体供应：选择适当的反应气体，通常是含有所需元素的气体或气体混合物。这些气体通过供气系统引入...
CVD的高温反应特点让生成的膜层非常致密，附着力极好。相比其他镀膜方式，CVD薄膜不易剥落，非常适合用在...
特点：用于半导体单晶薄膜（如硅外延层、GaN外延层）。本质：属于CVD的一个子集，是外延技术的一种形式...