电化学气相沉积(EVD)法是CVD法的改进工艺。它是利用电势梯度把金属氧化物沉积在名孔的基片上形成电解质膜，膜的厚度一般在1~100μm之间。特点 电化学气相沉积方法制备的膜厚度均匀，附着力强，在不用较高沉积温度的基础上，每小时可使膜的厚度增长5~10pm,适用于制造各种问体氧化物燃料电池中各种厚度的膜，并且...
CVD代表化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition），是一种常用的薄膜制备工艺。在CVD过程中，通过在适当的气氛中将反应气体转化为化学反应产物，使其沉积在基底表面形成薄膜。CVD工艺通常涉及以下步骤：1. 反应气体供应：选择适当的反应气体，通常是含有所需元素的气体或气体混合物。这些气体通过供气系统引入反...
化学气相沉积(CVD)是指在相当高的温度下,混合气体与基体的表面相互作用,使混合气体中的某些成分分解,并在基体表面形成一种金属/陶瓷的固态薄膜或镀层。按照化学反应时的参数和方法不同,可将其分为常压CVD法、低压CVD法、热CVD法、等离子CVD法、超声波CVD法、脉冲CVD法及激光CVD法等。化学气相沉...
Cvd法的主要特点: 1可以沉积各种晶态或非晶态的无机薄膜材料. 2纯度高,集体的结合力强。 3沉积层致密,气孔极少, 4均度性好,设备及工艺简单。 5反应温度较高。 应用:在钢铁、硬质合金、有色金属、无机非金属等材料表面制备各种用途的薄膜,主要是绝缘体薄膜,半导体薄膜,导体及超导体薄膜以及耐蚀性薄膜。 物理气象...
技术特点 由 化学气相沉积（CVD）技术所形成的膜层致密且均匀, 膜层与基体的结合牢固, 薄膜成分易控, 沉积速度快, 膜层质量也很稳定,某些特殊膜层还具有优异的光学、热学和电学性能, 因而易于实现批量生产。但是, CVD的沉积温度通常很高, 在 900℃～2000℃之间,容易引起零件变形和组织上的变化, 从而降低机体材料...
CVD的高温反应特点让生成的膜层非常致密，附着力极好。相比其他镀膜方式，CVD薄膜不易剥落，非常适合用在...
CVD特点:1)在中温或高温下,通过气态的初始化合物之间的气相化学反应而形成固体物质沉积在基体上;2)可以在常压或者真空条件下(负压“进行沉积、通常真空沉积膜层质量较好);3)采用等离子和激光辅助技术可以显著地促进化学反应,使沉积可在较低的温度下进行;4)涂层的化学成分可以随气相组成的改变而变化,从而获得梯度沉积...
1化学气相沉积法生产晶体、晶体薄膜 化学气相沉积法不但可以对晶体或者晶体薄膜性能的改善有所帮助，而且也可以生产出很多别的手段无法制备出的一些晶体。化学气相沉积法最常见的使用方式是在某个晶体衬底上生成新的外延单晶层，最开始它是用于制备硅的，后来又制备出了外延化合物半导体层。它在金属单晶薄膜的制备上也...