在多晶硅薄膜的各种制备技术中,热丝化学气相沉积法(HWCVD)以其低沉积温度、高沉积速率和低成本的特点而被广泛采用。 3. Influence of Metal Underlayers on Low-temperature Deposition of Poly-silicon Thin Films by Hot-wire CVD; 采用热丝化学气相沉积(HWCVD)方法分别在镀Ag、镀Cu玻璃衬底上低温沉积出高质量多...
4) thermal chemical vapor deposition(TCVD) 热化学气相沉积5) Rapid Thermal Process/Very Low Pressure-Chemical Vapor Deposition 快速加热/超低压-化学气相淀积6) rapidly chemical vapor infiltration 快速化学气相渗积法补充资料:热化学气相沉积 分子式:CAS号:性质:利用高温激活化学反应进行气相生长的方法。按...
对化学气相沉积(CVD)法制备SiC的热力学进行了系统研究,考察了H2-MTS,Ar-SiO-C,H2-SiO-CxHy,H2-SiH4-CxHy等体系,着重研空了温度,压力,载气量和图对CVD法制备SiC的实验具有指导作用.doi:CNKI:SUN:HGYJ.0.1998-03-000朱庆山清华大学核能技术设计研究院新材料室邱学良清华大学核能技术设计研究院过程工程学报朱庆山 ...
用于散热应用的厚聚晶合成金刚石晶片以及微波等离子体化学气相沉积合成技术一种制造聚晶CVD合成金刚石材料的方法,该聚晶CVD合成金刚石材料具有至少2000WmG・T・威廉姆斯J・M・道德森P・N・因吉斯C・J・凯利
一种制造聚晶CVD合成金刚石材料的方法,该聚晶CVD合成金刚石材料具有至少2000Wm-1K-1的通过其厚度的室温平均热导率,该方法包括:将难熔金属基底装入CVD反应器中;在难熔金属基底的周边区域周围设置难熔金属护圈,所述难熔金属护圈限定出介于所述难熔金属基底边缘和难熔金属护圈之间的具有1.5mm到5.0mm宽度的间隙;将...
按其化学反应形式可分成三大类:(1)化学输送法;(2)热分解法;(3)合成反应法。第一类一般用于块状晶体生长;第二类通常用于薄膜材料生长;第三类则两种情况都用。TCVD应用于半导体材料,如Si,Ge,GaAs,InP等各种氧化和其他材料。广泛应用的CVD技术,如MOCVD、氯化物化学气相沉积、氢化物化学气相沉积等均属于TCVD的范围。