答: 有机金属化学气相沉积法是一个利用有机金属化合物热分解反应进行气相外延生长薄膜CVD技术。(2分) 选择含有化合物半导体元素原料时须满足以下条件: (1)在常温下较稳定且轻易处理; (4分) (2)反应副产物不应妨碍晶体生长, 不应污染生长层; (6分) (3)为适应气相生长, 在室温周围应含有合适蒸气压。(8分)...
1、金属有机化学气相沉积一、原理:金属有机化学气相沉积(MOCVD )是以川族、n族元素的有机化合物和v、w族元素的氢化物等作为晶体生长源材料,以热分解反应方式在衬底上进行气相外延,生长各种川-V族、n-w族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。金属有机化学气相沉积 系统(MOCVD是利用金属有机化合物...
金属有机化学气相沉积法(MOCVD, Metal-organicChemical Vap扩蛋娘or Deposition) ,是在基板上成长半导体薄膜的一种方法。 其他类似的名称如: MOVPE (Metal-organic Vapor-Phase Epitaxy)360百科、 OMVPE (Organometallic Vapor-Phase Epitaxy)及 OM强却证婷么厚CVD (Organometallic Chemical Vapor Deposition) 等等,其...
金属有机化学气相沉积法 金属有机化学气相沉积法,也称为金属有机化学气相沉积(MOCVD),是一种在高温下使用金属有机化合物作为前体材料的气相沉积技术。该技术常用于制备高质量的薄膜和纳米材料,尤其是半导体材料,如氮化物、磷化物、砷化物和镓化物等。MOCVD技术已广泛运用于半导体器件、LED、激光器、光电器件、太阳能...
金属有机化学气相沉积系统(MOCVD)是利用金属有机化合物作为源物质的一种化学气相淀积(CVD)工艺,其原理为利用有机金属化学气相沉积法metal-organic chemical vapor deposition.MOCVD是一利用气相反应物,或是前驱物precursor和Ⅲ族的有机金属和V族的NH3,在基材substrate表面进行反应,传到基材衬底表面固态沉积物的工艺。 二...
有机金属化学气相沉积法，简称MOCVD，是一种在基板上生长半导体薄膜的重要技术。它的核心概念是通过金属有机化合物作为反应源，参与到薄膜的形成过程中。这种方法的其他命名包括MOVPE、OMVPE和OMCVD，其中"MO"或"OM"强调了金属有机物或有机金属化合物在生长过程中的关键作用，而"CVD"或"VPE"则分别代表...
MOCVD（有机金属化学气相沉积法）是一种广泛应用于薄膜生长过程中的技术。当携带流体（通常为氢气，但在特定情况下如InGaN薄膜生长时，氮气也可能被使用）经过有机金属反应源的装置时，反应源中的饱和蒸气会被输送到反应室，与其它反应气体混合。在加热的基板表面，这些气体发生化学反应，形成所需的薄膜层...
答:有机金属化学气相沉积法是一种利用有机金属化合物的热分解反响进展气相外延生长薄膜的CVD技术。〔4分〕 选用含有化合物半导体元素的原料时须满意以下条件: 〔1〕在常温下较稳定且简单处理;〔2分〕 〔2〕反响的副产物不应阻碍晶体生长,不应污染生长层;〔2分〕 〔3〕为适应气相生长,在室温旁边应具有适当的蒸...
同时,当前报道的可控制备高质量、大尺寸单层二维材料的化学气相沉积(CVD)方法,仅实现了MOF薄膜的生长,而大尺寸原子级厚的MOF单晶特别是单层单晶未被实现。与无机材料和石墨烯的CVD生长相比,MOF-CVD的生长温度一般低于300oC,加上前驱体有机配体分子的质量大、体积大、与基底相互作用强,致使产生厚的多晶薄膜。因此,...