答: 有机金属化学气相沉积法是一个利用有机金属化合物热分解反应进行气相外延生长薄膜CVD技术。(2分) 选择含有化合物半导体元素原料时须满足以下条件: (1)在常温下较稳定且轻易处理; (4分) (2)反应副产物不应妨碍晶体生长, 不应污染生长层; (6分) (3)为适应气相生长, 在室温周围应含有合适蒸气压。(8分)...
一、前言有机金属化合物化学气相沉积法简称MOCVD法(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)或有机金属化合物气相外延法(Metal Organic Vapor Phase Epitaxy)简称MOVPE或OMVPE法。它是把反应物质全部以有机金属化合物的气体分子形式,用H_2气作载带气体送到反应室,进行热分解反应而形成化合物半导体的一种新技术。由于...
中文:金属有机化合物化学气相沉积法;英文:metal organic chemical vapor deposi-tion / MOCVD的原理;中文:金属有机化合物化学气相沉积法;英文:metal organic chemical vapor deposi-tion / MOCVD的定义;中文:金属有机化合物化学气相沉积法;英文:metal organic ch
利用在低温下易分解和易挥发的金属有机化合物作为源物质,进行化学气相沉积的方法,能在较低温度下沉积各种无机物膜层材料。 上面所述为哪种化学气相沉积法:( )的答案是什么.用刷刷题APP,拍照搜索答疑.刷刷题(shuashuati.com)是专业的大学职业搜题找答案,刷题练习的工具.一键
碳化硅纤维有两种制备路线,一种是先驱体转换法,另一种是化学气相沉积法。先驱体转换法是由日本东北大学矢岛圣使教授发明,日本碳公司于1983年完成批量生产开发,并以NICALON作为产品名称。1984年日本宇部兴产公司以低分子硅烷化合物与钛化合物合成有机金属聚合物,采用特殊纺丝技术,制成性能更好的碳化硅纤维,称为TYRANNO...
答:有机金属化学气相沉积法是一种利用有机金属化合物的热分解反响进展气相外延生长薄膜的CVD技术。〔4分〕 选用含有化合物半导体元素的原料时须满意以下条件: 〔1〕在常温下较稳定且简单处理;〔2分〕 〔2〕反响的副产物不应阻碍晶体生长,不应污染生长层;〔2分〕 〔3〕为适应气相生长,在室温旁边应具有适当的蒸...
昆明贵金属研究所稀贵金属综合利用新技术国家重点实验室胡昌义昆明贵金属研究所陈力昆明贵金属研究所王云昆明贵金属研究所CNKI;WanFang稀有金属蔡宏中,胡昌义,陈力,王云.金属有机化合物化学气相沉积法制备铱薄膜的研究[J]. 稀有金属.2009(02)金属有机化合物化学气相沉积法制备铱薄膜的研究[J]. 蔡宏中,胡昌义,陈力,...
一种金属有机化合物化学气相沉积方法及其装置.所述方法包括:提供基座及至少一基片;提供第一进气装置和第二进气装置,第一气体沿着第一出气口喷出的方向与第二气体沿着第二出气口喷出的方向成一夹角;第一气体与第二气体在基片上表面沉积得到一层金属有机化合物;第一气体在反应区域内浓度梯度分布,包括A区域和B区域,A...
本发明涉及一种金属有机化合物化学气相沉积设备复机方法,包括以下步骤:高温加热,去除反应腔中残留的MO源;打开反应腔,去除涂层;关闭反应腔,稳定反应腔内的气流;通入有机铟源至反应腔内气压饱和状态;进入反应腔生产状态.本发明通过在还原腔体环境时采用增加有机铟的成分浓度,降低有机镁的成分浓度,使得腔体内MO源饱和度...
用光激金属有机化合物化学气相沉积的低温外延生长GaAs的新方法 光激金属GaAs激光器低温摘要:Kachi,T不详刘述平不详国外稀有金属