金属有机物化学气相沉积(metal organic chemical vapour deposition)是一种利用有机金属热分解反应进行气相外延生长薄膜的化学气相沉积技术。原理 金属有机物化学气相沉积(metal organic chemical vapour deposition)又称有机金属化合物气相淀积法。一种利用有机金属热分解反应进行气相外延生长薄膜的化学气相沉积技术。该方法...
金属有机化学气相沉积(Metal-organic Chemical Vapor Deposition ,MOCVD),也被称为金属有机气相外延(Metal-organic Vapor-Phase Epitaxy,MOVPE),是在气相外延生长(Vapor-Phase Epitaxy)基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术。 这种技术始于1968年,利用有机金属化...
一、有机金属化学气相沉积的原理 有机金属化学气相沉积(MOCVD)是一种基于金属有机化合物在气相中分解产生金属原子,并在衬底表面上沉积形成薄膜的技术。该技术主要基于金属有机化合物的热分解反应,通过控制反应条件和沉积参数,可以实现对薄膜化学组成、晶体结构和形貌的精确控制。 1. 原料选择:有机金属化合物是有机金...
其中,M表示金属,CH3表示甲基基团,NH3表示氨气,MxNy表示金属化合物,CH4表示甲烷,H2表示氢气。在反应中,金属有机物和气体通过化学反应形成金属化合物的沉积,同时将副产物产物移除。 3 MOCVD的优点 与其他金属沉积技术相比,MOCVD具有以下优点: 1.高纯度:MOCVD可在高温下进行,可制备高晶格质量的金属化合物。 2.高精度...
金属有机化合物化学气相沉积（MOCVD） ，用金属有机化合物热分解进行气相外延生长的方法。应用 其基本原理是将含有外延材料组分的金属有机化合物气体通过载气输送到反应室，在一定温度卜进行外延生长。MOCVD技术主安应少“于班一\，.族U-VT族化合物半导体超晶格量子阱等低维材料生长和多元固溶体的多层异质结构材料的...
1、金属有机化学气相沉积一、原理:金属有机化学气相沉积(MOCVD )是以川族、n族元素的有机化合物和v、w族元素的氢化物等作为晶体生长源材料,以热分解反应方式在衬底上进行气相外延,生长各种川-V族、n-w族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。金属有机化学气相沉积 系统(MOCVD是利用金属有机化合物...
有机金属化学气相沉积法（MOCVD，metal-organic chemical vapor deposition），用于在基板上生长半导体薄膜，进而可以制作光电、电子元件等。MOCVD设备 工艺介绍 MOCVD生长薄膜，载流气体通过金属反应源容器（起泡器蒸发前驱体），将反应源的饱和蒸气带至反应腔中与其它气体混合反应，然后在被加热的基板上面发生化学反应生长...
第一节金属有机物化学气相沉积概述一、金属有机物化学气相沉积简介金属有机物化学气相沉积（metalorganicchemicalvapordeposition，简称MOCVD），是利用金属有机化合物进行化学反应的气相沉积，这种沉积形成的可以是单晶层、多晶层或纳米结构等。因为此项技术多用于外延生长而又被称为金属有机物气相外延（metalorganicvapor...
金属有机物化学气相沉积系统 金属有机物化学气相沉积系统是一种用于物理学领域的工艺试验仪器，于2006年7月1日启用。技术指标 运行稳定：0-1200C；转速：0-600RPM；样品托盘：3*2；生长源气：TMGa，TMAl，TMIn，CP2Mg,SiH4,NH3。主要功能 生长III-V族化合物半导体材料以及它们的多组元固溶体的薄层单晶。