在曝光完成后,需要对光刻所形成的关键尺寸(关键尺寸(Critical Dimension,简称CD)是指在集成电路光掩模制造及光刻工艺中为评估及控制工艺的图形处理精度,特设计一种反映集成电路特征线条宽度的专用线条图形)以及套刻精度进行测量(metrology)。关键尺寸的测量通常使用扫描电子显微镜,而套刻精度的测量由光学显微镜和电荷耦合阵...
硅片平台分系统的任务是协助镜头完成对硅片的精确对准(i线光刻机大于100纳米,193nm浸没式光刻机小于10nm),并且对硅片偏离尺度目标的偏差量(如套刻偏差(overlay deviation)、高低偏差 (leveling Map))进行曝光前修正。 高级的光刻机还能够在曝光前对镜头重要像差(如三阶畸变)进行一次快速测量(如阿斯麦公司的光刻机...
纳米集成电路制造工艺中，第七章探讨了光刻技术的关键部分，特别是分辨率相关工艺窗口的增强方法。其中，离轴照明是一种提升工艺窗口和对焦深度的有效手段，通过改变光束的入射角度，使得在特定空间周期（0.5λ /NA 到 λ /NA 之间）的图形曝光更为容易，提高空间像对比度和能量宽裕度。环形照明是最常见...
我们在前面已经讲到,离轴照明可以提高对密集图形的工艺窗口。对于空间周期p 在0.5λ /NA 与λ /NA 之间的图形有着不错的工艺窗口。 离轴照明所形成的两束光(零级和1级或者-1级)成像可以使得空间周期p 在0.5λ /NA 与λ /NA 之间的图形曝光成为可能。也就是说,上述图形的空间像对比度(image contrast)或者能...
光刻是通过镜头将掩膜版上的图像成像到涂有光刻胶的硅片上。 现代光刻机的光学系统分为照明系统和成像系统。照明系统的主要功能是将光源输出的光进行调整,以实现不同的部分相干(partially coherent)状态,满足不同形状、密度的图形曝光要求。 照明系统使用了科勒(Köhler)照明方式,如图7.52所示,即在掩膜版平面上能够...
(2)工艺引入的缺陷 (3)衬底引入的缺陷 掩膜版的缺陷通常源于掩膜版在制造过程当中引入的图形缺陷, 如线宽制造错误,部分细小图形的缺失(如亚衍射散射条)以及引入的外来颗粒。 工艺的缺陷又可以按照流程来划分 (1)涂胶引入的缺陷 (2)曝光过程引入的缺陷(包括浸没式和非浸没式) ...