晶片清洗是一个复杂课题,首先,大规模集成电路制造有很多种可能的沾污,几百步制程中每一步都可贡献一种或几种污染;另一方面,随着器件高度集成化,对污染的要求更高,防范的范围更宽,因此清洗的难度就更大。例如90nm CMOS及以下制程,清洗多达一二百步,清洗不但要求去除颗粒和化学污染物,不伤及晶片表面不该伤及 的...