IT之家 1 月 9 日消息，据韩媒 The Elec 消息，三星将加速 3D NAND 堆叠进程，正在讨论将预计 2025-2026 年量产的第十代 V-NAND 的堆叠层数跳至 430 层级。三星此前宣布到 2030 年开发出 1000 层 V-NAND 闪存，同时，下一代 V-NAND 路线图的轮廓也逐渐浮出水面。据报道，三星计划 2024 年量产的第九...
格隆汇1月9日丨据TheElec，三星将加速3D NAND堆叠进程，正在讨论将预计2025—2026年量产的第十代V—NAND的堆叠层数跳至430层级。此外，业内人士透露，三星已经为第九代、第十代等V—NAND单元的数量制定了大致的路线图，正在从多个角度开发产品。
【三星预计 2025-2026 年量产第十代 V-NAND 闪存,直接跳到 430 层堆叠】据韩媒 The Elec 消息,三星将加速 3D NAND 堆叠进程,正在讨论将预计 2025-2026 年量产的第十代 V-NAND 的堆叠层数跳至 430 层级。三星此前宣布到 2030 年开发出 1000 层 V-……详情点击:O三星预计 2025-2026 年量产第十代 V-...
IT之家1 月 9 日消息,据韩媒 The Elec 消息,三星将加速 3D NAND 堆叠进程,正在讨论将预计 2025-2026 年量产的第十代 V-NAND 的堆叠层数跳至 430 层级。 三星此前宣布到 2030 年开发出 1000 层 V-NAND 闪存,同时,下一代 V-NAND 路线图的轮廓也逐渐浮出水面。 据报道,三星计划 2024 年量产的第九代...
据报道,三星将加速3DNAND堆叠进程,正在讨论将预计2025—2026年量产的第十代V—NAND的堆叠层数跳至430层级。此外,业内人士透露,三星已经为第九代、第十代等V—NAND单元的数量制定了大致的路线图,正在从多个角度开发产品
三星预计2025—2026年量产第十代V—NAND闪存 跳至430层堆叠 格隆汇1月9日丨据TheElec,三星将加速3D NAND堆叠进程,正在讨论将预计2025—2026年量产的第十代V—NAND的堆叠层数跳至430层级。此外,业内人士透露,三星已经为第九代、第十代等V—NAND单元的数量制定了大致的路线图,正在从多个角度开发产品。